|
ИСТИНА |
Войти в систему Регистрация |
Интеллектуальная Система Тематического Исследования НАукометрических данных |
||
A comparative study of EL2 and other deep centers in undoped SI GaAs using optical absorption spectra and photoconductivity measurementsстатья
Статья опубликована в высокорейтинговом журнале
Информация о цитировании статьи получена из
Web of Science,
Scopus
Статья опубликована в журнале из списка Web of Science и/или Scopus
Дата последнего поиска статьи во внешних источниках: 3 декабря 2015 г.
- Авторы: Kozlova J.P., Bowles T.J., Eremin V.K., Gavrina V.N., Koshelev O.G., Markov A.V., Morozova V.A., Polyakov A.J., Verbitskaya E.M., Veretenkin E.P.
- Журнал: Nuclear Instruments and Methods in Physics Research, Section A: Accelerators, Spectrometers, Detectors and Associated Equipment
- Том: 512
- Номер: 1-2
- Год издания: 2003
- Издательство: Elsevier BV
- Местоположение издательства: Netherlands
- Первая страница: 1
- Последняя страница: 7
- DOI: 10.1016/S0168-9002(03)01871-0
- Добавил в систему: Кошелев Олег Григорьевич