Полевой транзистор с каналом-нанопроводом как локальный сенсор с высоким пространственным разрешениемтезисы доклада

Работа с тезисами доклада


[1] Полевой транзистор с каналом-нанопроводом как локальный сенсор с высоким пространственным разрешением / И. В. Божьев, В. А. Крупенин, Д. Е. Преснов и др. // Тезисы докладов 17-й всероссийской молодежной конференции. — Физика полупроводников и наностурктур, полупроводниковая опто- и наноэлектроника. — Издательство Политехнического университета Санкт-Петербург, 2015. — С. 108. Последнее десятилетие внимание исследователей в микроэлектронике, биологии, химии и медицине приковано к наноразмерным или наноструктурированным объектам. В ряде случаев изучение наноразмерных систем требует проведения неразрушающих измерений профилей потенциалов поверхностей и отдельных объектов с высокими пространственным разрешением и чувствительностью. Авторами разрабатывается оригинальная высокочувствительная система на основе полупроводникового нанопровода, располагающегося в предельной близости к краю кремниевой подложки. Разработан метод, позволяющий на основе кремния на изоляторе (КНИ) изготавливать транзисторы с каналом-нанопроводом на краю кремниевой подложки. Проведены измерения транспортных и шумовых характеристик изготовленных транзисторов. Показана высокая полевая чувствительность изготовленных структур. Разработанный метод совмещения литографируемой структуры с углом подложки позволяет формировать наностурктуры на расстояниях менее 50 нм от края подложки. Работа выполнена при поддержке гранта РФФИ №14-07-00828 А.

Публикация в формате сохранить в файл сохранить в файл сохранить в файл сохранить в файл сохранить в файл сохранить в файл скрыть