Влияние внешних условий на радиальное распределение параметров плазмы Ar и смеси Ar/O2 в ВЧ идуктивном источнике плазмытезисы доклада

Работа с тезисами доклада


[1] Влияние внешних условий на радиальное распределение параметров плазмы ar и смеси ar/o2 в ВЧ идуктивном источнике плазмы / А. Ф. Александров, К. В. Вавилин, Г. П. Козлов и др. // XLII Международная (Звенигородская) конференция по физике плазмы и УТС, 9 – 13 февраля 2015 г. — ПЛАЗМАИОФАН г. Москва, 2015. — С. 360–360. Известно, что индуктивный ВЧ разряд широко используется в полупроводниковой промышленности при производстве микросхем, в качестве активной среды космических электрореактивных двигателей, источников света, в процессах поверхностной модификации материалов, напыления и осаждения покрытий. Быстрое развитие технологий микро- и наноэлектроники требуют создания гибко управляемых плазменных рабочих процессов, позволяющих получать протяженные участки равномерной плотной плазмы. Одним из наиболее значимых, c точки зрения технологических применений, параметров является пространственное распределение ионного тока насыщения i+. Настоящая работа является продолжением систематических исследований характеристик плазмы при изменении внешних параметров разряда: давления рабочего газа, рабочей частоты и мощности ВЧ генератора, величины и конфигурации магнитного поля, формы индуктора, а также рода газа и их смесей.

Публикация в формате сохранить в файл сохранить в файл сохранить в файл сохранить в файл сохранить в файл сохранить в файл скрыть