Подвижности и эффективные массы электронов в HEMT-структурах InGaAs/InAlAs с повышенным содержанием Inтезисы доклада

Работа с тезисами доклада


[1] Подвижности и эффективные массы электронов в hemt-структурах ingaas/inalas с повышенным содержанием in / Н. А. Юзеева, А. В. Сорокоумова, Р. А. Лунин и др. // XXXVII Совещание по физике низких температур. — Издательство Казанского университета Казань, 2015. — С. 219.

Публикация в формате сохранить в файл сохранить в файл сохранить в файл сохранить в файл сохранить в файл сохранить в файл скрыть