The effect of normal and insulating layers on 0-π transitions in Josephson junctions with a ferromagnetic barrierстатья

Статья опубликована в высокорейтинговом журнале

Информация о цитировании статьи получена из Scopus, Web of Science
Статья опубликована в журнале из списка Web of Science и/или Scopus
Дата последнего поиска статьи во внешних источниках: 11 января 2016 г.

Работа с статьей

Прикрепленные файлы


Имя Описание Имя файла Размер Добавлен
1. New_Journal_of_Phys.pdf New_Journal_of_Phys.pdf 1,3 МБ 22 апреля 2016 [mkupr]

[1] The effect of normal and insulating layers on 0-π transitions in josephson junctions with a ferromagnetic barrier / D. M. Heim, N. G. Pugach, M. Y. Kupriyanov et al. // New Journal of Physics. — 2015. — Vol. 17, no. 11. — P. 113022–1–113022–15. Using the Usadel approach, we provide a formalism which allows to calculate the critical current density of 21 different types of Josephson junctions (JJs) with a ferromagnetic (F) barrier and additional insulating (I) or/and normal (N) layers inserted between F-layer and superconducting (S) electrodes. In particular, we obtain that in SFS JJs even a thin additional N-layer between S-layer and F-layer may noticeably change the thickness of the F-layer at which the 0-π transitions occur. For certain values of , a 0-π transition can even be achieved by changing only the N-layer thickness. We use our model to fit experimental data of SIFS and SINFS tunnel junctions. [ DOI ]

Публикация в формате сохранить в файл сохранить в файл сохранить в файл сохранить в файл сохранить в файл сохранить в файл скрыть