Properties of SiC Films Obtained by the Method of Substitution of Atoms on Porous Siliconстатья

Информация о цитировании статьи получена из Web of Science
Статья опубликована в журнале из списка Web of Science и/или Scopus
Дата последнего поиска статьи во внешних источниках: 16 января 2019 г.

Работа с статьей


[1] Properties of sic films obtained by the method of substitution of atoms on porous silicon / V. V. Kidalov, S. A. Kukushkin, A. V. Osipov et al. // ECS Journal of Solid State Science and Technology. — 2018. — Vol. 7, no. 4. — P. 158–160. The paper is devoted to the growth of thin SiC films by the method of substitution of atoms on macro- and mesoporous substrates of p- and n-type silicon of (100) orientation. On the mesoporous Si (100) substrates polycrystalline 3C-SiC films were formed, the crystallite size determined from XRD patterns was 27.5 nm. The obtained structures are studied by the methods of scanning electron and atomic-force microscopy, micro-Raman spectroscopy and X-ray diffraction analysis. © 2018 The Electrochemical Society. [ DOI ]

Публикация в формате сохранить в файл сохранить в файл сохранить в файл сохранить в файл сохранить в файл сохранить в файл скрыть