|
ИСТИНА |
Войти в систему Регистрация |
Интеллектуальная Система Тематического Исследования НАукометрических данных |
||
EPR and photoluminescence diagnostics of singlet oxygen generation on porous silicon surfaceстатья
Информация о цитировании статьи получена из
Web of Science,
Scopus
Статья опубликована в журнале из списка Web of Science и/или Scopus
Дата последнего поиска статьи во внешних источниках: 19 июля 2013 г.
- Авторы: Konstantinova E.A., Demin V.A., Ryabchikov Yu V., Gongalskiy M.B., Kashkarov P.K.
- Журнал: Physica Status Solidi (C) Current Topics in Solid State Physics
- Том: 6
- Номер: 7
- Год издания: 2009
- Первая страница: 1700
- Последняя страница: 1703
- DOI: 10.1002/pssc.200881082
- Аннотация: Electron paramagnetic resonance and photoluminescence spectroscopy are used to investigate photosensitized generation of singlet oxygen in the porous silicon layers. The singlet oxygen concentration in the samples was estimated at various oxygen pressures. The time of energy transfer from excitons confined in Si nanocrystals to adsorbed O 2 molecules on silicon nanocrystal surface and photosensitization efficiency are found to depend on the porosity of the samples. The singlet oxygen generation efficiency increases strongly for porous silicon with high (>80%) porosity. © 2009 WILEY-VCH Verlag GmbH & Co. KGaA, Weinheim.
- Добавил в систему: Гонгальский Максим Брониславович