Послойный состав и структура кремния, подвергнутого совместной ионной имплантации галлия и азота для ионного синтеза GaNстатья

Статья опубликована в журнале из списка RSCI Web of Science
Статья опубликована в журнале из перечня ВАК

Работа с статьей


[1] Послойный состав и структура кремния, подвергнутого совместной ионной имплантации галлия и азота для ионного синтеза gan / Д. С. Королев, А. Н. Михайлов, А. И. Белов и др. // Физика и техника полупроводников. — 2016. — Т. 50, № 2. — С. 274–278. Исследованы состав и структура приповерхностных слоев кремния, подвергнутых совместной имплантации ионов галлия и азота с последующим отжигом, методами рентгеновской фотоэлектронной спектроскопии, резерфордовского обратного рассеяния, электронного парамагнитного резонанса, рамановской спектроскопии и просвечивающей электронной микроскопии. Обнаружено небольшое перераспределение имплантированных атомов перед отжигом и существенный сдвиг к поверхности во время отжига в зависимости от порядка имплантации. Установлено, что около 2% атомов имплантированного слоя замещены галлием, связанным с азотом, однако фазу нитрида галлия выявить не удалось. В то же время обнаружены обогащенные галлием включения, содержащие до 25 ат% галлия, как кандидаты для последующего синтеза включений GaN.

Публикация в формате сохранить в файл сохранить в файл сохранить в файл сохранить в файл сохранить в файл сохранить в файл скрыть