|
ИСТИНА |
Войти в систему Регистрация |
Интеллектуальная Система Тематического Исследования НАукометрических данных |
||
Исследование размеров в доменно-кластерной структуре GaN/SiC и пористого SiC – материалов для полупроводниковых лазеровстатья
- Авторы: Шарков М.Д., Бойко М.Е., Бобыль А.В., Бойко А.М., Конников С.Г.
- Журнал: XII Российская конференция по физике полупроводников («Полупроводники-2015»). Тезисы докладов
- Год издания: 2015
- Первая страница: 392
- DOI: ISBN 978-5-902622-31-4
- Аннотация: 1.Данные РД, полученные от образца GaN/SiC, показывают, что в данном образце и пленка, и подложка либо являются монокристаллами высокой степени совершенства, либо состоят из фрагментов, ориентированных примерно одинаково. 2.Кривая МУРР, полученная от образца GaN/SiC, содержит два интенсивных брэгговских пика с противоположных сторон от направления прямого пучка. Их расположение соответствует величине, оцениваемой в диапазоне 50–80 нм. Этот размер связан с периодичностью структуры пленки в направлениях, параллельных ее поверхности, и говорит об упорядочении зерен внутри пленки (по крайней мере, локальном). 3.МУРР-измерения от образца GaN/SiC в режиме отражения в результате анализа по модели Порода привели к величине показателя около 1.6, что говорит о наличии в образце низкоразмерных (скорее всего, одномерных) компонент. 4.Кривая МУРР, полученная от пластины SiC в режиме отражения с непористой стороны (точечная кривая на Рис. 1), была аппроксимирована по модели Порода с показателем 2.2. Данная величина породовского показателя, вероятно, говорит о присутствии в непористой части образца SiC двумерных компонент. 5.Для кривой МУРР, полученной от пластины SiC в режиме отражения с пористой стороны (штриховая кривая на Рис. 1), обработка по модели Порода дает показатели 1.4 и 4.0. Этот факт свидетельствует, что пористый фрагмент образца SiC, скорее всего, состоит как из плотного порошка, так и из фрагментов с линейной геометрией (например, атомных цепочек).
- Добавил в систему: Бойко Михаил Евгеньевич