|
ИСТИНА |
Войти в систему Регистрация |
Интеллектуальная Система Тематического Исследования НАукометрических данных |
||
Passively Q-switched microchip (Er,Yb):YAl3(BO3)4 diode-pumped laserстатья
Статья опубликована в высокорейтинговом журнале
Информация о цитировании статьи получена из
Web of Science,
Scopus
Статья опубликована в журнале из списка Web of Science и/или Scopus
Дата последнего поиска статьи во внешних источниках: 18 июля 2013 г.
- Авторы: Kisel V.E., Gorbachenya K.N., Yasukevich A.S., Ivashko A.M., Kuleshov N.V., Maltsev V.V., Leonyuk N.I.
- Журнал: Optics Letters
- Том: 37
- Номер: 13
- Год издания: 2012
- Издательство: Optical Society of America
- Местоположение издательства: United States
- Первая страница: 2745
- Последняя страница: 2747
- DOI: 10.1364/OL.37.002745
- Аннотация: We report, for the first time to our knowledge, a diode-pumped cw and passively 𝑄Q-switched microchip Er, Yb:YAl3(BO3)4Yb:YAl3(BO3)4 laser. A maximal output power of 800 mW at 1602 nm in the cw regime was obtained at an absorbed pump power of 7.7 W. By using Co2+:MgAl2O4Co2+:MgAl2O4 as a saturable absorber, a TEM00TEM00-mode 𝑄Q-switched average output power of 315 mW was demonstrated at 1522 nm, with pulse duration of 5 ns and pulse energy of 5.25 μJ at a repetition rate of 60 kHz.
- Добавил в систему: Леонюк Николай Иванович