|
ИСТИНА |
Войти в систему Регистрация |
Интеллектуальная Система Тематического Исследования НАукометрических данных |
||
Polarization mode switching in p-AlGaAs/GaAsP/n-AlGaAs diodes in presence of compressive stressтезисы доклада
- Авторы: Bogdanov E.V., Kolokolov K.I., Melnikova N.V., Minina N.Ya, Tikhomirova G.V.
- Сборник: Books of Abstracts Joint AIRAPT-25-th & EHPRG-53-rd Int. Conference on High Pressure Science and Technology, August 30 – September 4, 2015, Madrid, Spain
- Тезисы
- Год издания: 2015
- Место издания: Complutense University of Madrid Madrid, Spain
- Первая страница: 340
- Аннотация: В настоящей работе представлены результаты численных расчетов эффекта влияния на излучение лазерных диодов анизотропных деформаций, которые могут возникнуть в результате внешних механических или температурных воздействий, а также данные экспериментальных исследований поляризации излучения структур с квантовой ямой из GaAs0.84P0.16 шириной 14 нм при одноосном сжатии до 5 кбар вдоль направления [110].
- Добавил в систему: Богданов Евгений Владимирович