Effect of different impurity atoms on 1/fα tunneling current noise characteristics on InAs (110) surfaceстатья

Информация о цитировании статьи получена из Scopus, Web of Science
Статья опубликована в журнале из списка Web of Science и/или Scopus
Дата последнего поиска статьи во внешних источниках: 18 июля 2013 г.

Работа с статьей


[1] Effect of different impurity atoms on 1/fα tunneling current noise characteristics on inas (110) surface / A. I. Oreshkin, V. N. Mantsevich, N. S. Maslova et al. // JETP Letters. — 2007. — Vol. 85, no. 1. — P. 40–45. The results of UHV STM investigations of tunneling current noise spectra in the vicinity of individual impurity atoms on the InAs(110) surface are reported. It was found that the power law exponent of 1/fα noise depends on the presence of an impurity atom in the tunneling junction area. This is consistent with the proposed theoretical model considering tunneling current through a two-state impurity complex model system taking into account many-particle interaction. [ DOI ]

Публикация в формате сохранить в файл сохранить в файл сохранить в файл сохранить в файл сохранить в файл сохранить в файл скрыть