Induced non-metallicity during resistive switching in structures based on a topological insulator Bi2Se3статья

Информация о цитировании статьи получена из Scopus, Web of Science
Статья опубликована в журнале из списка Web of Science и/или Scopus
Дата последнего поиска статьи во внешних источниках: 19 сентября 2015 г.

Работа с статьей


[1] Induced non-metallicity during resistive switching in structures based on a topological insulator bi2se3 / N. A. Tulina, I. Y. Borisenko, I. M. Shmytko et al. // Physics Letters, Section A: General, Atomic and Solid State Physics. — 2012. — Vol. 376, no. 45. — P. 3398–3401. Bi2Se3/Ag, CuxBi2Se3/Ag heterojunctions have been obtained in which the bipolar resistive switching effect has been observed and studied for the first time. The carrier type was determined by the switching voltage polarity. During resistive switching the conductivity of the metastable “On” and “Off” states changes from metallic to non-metallic (activation). [ DOI ]

Публикация в формате сохранить в файл сохранить в файл сохранить в файл сохранить в файл сохранить в файл сохранить в файл скрыть