О влиянии спектрального состава света на фотопроводимость слоистых пленок a-Si:Hстатья

Статья опубликована в журнале из списка RSCI Web of Science
Статья опубликована в журнале из перечня ВАК

Работа с статьей


[1] Курова И. А., Ормонт Н. Н. О влиянии спектрального состава света на фотопроводимость слоистых пленок a-si:h // Известия высших учебных заведений. Материалы электронной техники. — 2011. — № 3. — С. 59–62. Установлено, что спектральный состав поглощенного света влияет на величину и температурную зависимость фотопроводимости слоистой пленки a-Si:H. Это влияние связано с разной генерацией носителей тока: межзонной или смешанной, включающей также и генерацию электронов с уровней хвоста валентной зоны. При смене типа генерации изменяется темп рекомбинации электронов вследствие изменения заполнения электронами рекомбинационных уровней - оборванных связей кремния и хвоста валентной зоны. Получено, что в исследованных слоисых пленках с малой врожденной концентрацией оборванных связей при смешанной генерации носитьелей рекомбинация электронов на уровнях хвоста валентной зоны может преобладать , вплоть до комнатных температур. Это может приводить к увеличению фотопроводимости в области комнатных температур.

Публикация в формате сохранить в файл сохранить в файл сохранить в файл сохранить в файл сохранить в файл сохранить в файл скрыть