Temperature hysteresis of the domain contribution to the dielectric constant of doped KDP crystalsстатья

Информация о цитировании статьи получена из Scopus, Web of Science
Статья опубликована в журнале из списка Web of Science и/или Scopus
Дата последнего поиска статьи во внешних источниках: 18 июля 2013 г.

Работа с статьей


[1] Grabovsky S. V., Shnaidshtein I. V., Strukov B. A. Temperature hysteresis of the domain contribution to the dielectric constant of doped kdp crystals // Ferroelectrics. — 2003. — Vol. 290. — P. 91–96. Along with the "trivial" temperature hysteresis of the dielectric constant resulting from the first-order phase transition there is a hysteresis of epsilon in the polar phase of KDP crystals grown with a large growth rate. This type of hysteresis, which is absent from traditionally (slow rate) grown crystals is enhanced in dye doped crystals where the organic dyes change the domain contribution to the dielectric constant below T-C . This temperature hysteresis of epsilon is similar to the global hysteresis observed in ferroelectrics with an incommensurate phase.

Публикация в формате сохранить в файл сохранить в файл сохранить в файл сохранить в файл сохранить в файл сохранить в файл скрыть