Аннотация:Численными расчетами установлено, что в напряженных структурах p-AlxGa1-xAs/GaAs1-yPy/n-AlxGa1-xAs с инверсной конфигурацией спектра легких и тяжелых дырок в квантовой яме валентной зоны одноосное сжатие приводит к сильной перестройке спектра и многократному росту коэффициента оптического усиления ТЕ моды оптического излучения.