Electroreflectance characterization of AlInGaN/GaN high-electron mobility heterostructuresстатья

Статья опубликована в высокорейтинговом журнале

Информация о цитировании статьи получена из Scopus, Web of Science
Статья опубликована в журнале из списка Web of Science и/или Scopus
Дата последнего поиска статьи во внешних источниках: 22 ноября 2015 г.

Работа с статьей

Прикрепленные файлы


Имя Описание Имя файла Размер Добавлен
1. Полный текст sst_30_8_085014.pdf 475,0 КБ 16 июля 2015 [pbokov]

[1] Electroreflectance characterization of alingan/gan high-electron mobility heterostructures / P. Y. Bokov, T. Brazzini, M. F. Romero et al. // Semiconductor Science and Technology. — 2015. — Vol. 30, no. 8. — P. 085014. Room temperature electroreflectance (ER) spectroscopy has been used to study the fundamental properties of AlxInyGa{}_{1-x-y}N/AlN/GaN heterostructures under different applied bias. The (0001)-oriented heterostructures were grown by metal-organic vapor phase epitaxy on sapphire. The band gap energy of the AlxInyGa{}_{1-x-y}{{N}} layers has been determined from analysis of the ER spectra using Aspnes' model. The obtained values are in good agreement with a nonlinear band gap interpolation equation proposed earlier. Bias-dependent ER allows one to determine the sheet carrier density of the two-dimensional electron gas and the barrier field strength. [ DOI ]

Публикация в формате сохранить в файл сохранить в файл сохранить в файл сохранить в файл сохранить в файл сохранить в файл скрыть