Электролюминесценция коллоидных квазидвумерных полупроводниковых наноструктур CdSe в гибридном светоизлучающем диодестатья

Статья опубликована в журнале из списка RSCI Web of Science
Статья опубликована в журнале из перечня ВАК
Статья опубликована в журнале из списка Web of Science и/или Scopus
Дата последнего поиска статьи во внешних источниках: 22 ноября 2015 г.

Работа с статьей


[1] Электролюминесценция коллоидных квазидвумерных полупроводниковых наноструктур cdse в гибридном светоизлучающем диоде / А. С. Селюков, А. Г. Витухновский, В. С. Лебедев и др. // Журнал экспериментальной и теоретической физики. — 2015. — Т. 147, № 4. — С. 687–701. Представлены результаты исследования синтезированных в работе квазидвумерных наноструктур, представляющих собою полупроводниковые коллоидные нанопластинки CdSe с характерным продольным размером 20 – 70 нм и толщиной в несколько атомных слоев. Методами ТЕМ микроскопии и рентгеновской дифракции изучена их морфология, определены кристаллическая структура и размеры. При комнатных и криогенных температурах исследованы спектры и кинетика фотолюминесценции таких наноструктур (квантовых ям). С использованием органических материалов TAZ и TPD, составляющих соответственно электронный и дырочный транспортные слои, разработан гибридный светоизлучающий диод, который функционирует на основе нанопластинок CdSe в качестве плоского активного элемента (эмиттера). Получены спектральные и вольт-амперные характеристики созданного устройства с длиной волны излучения 515 нм. Напряжение включения устройства составило 5.5 В (видимое проявление свечения). Использование подобного типа квазидвумерных наноструктур является перспективным для создания гибридных светодиодов с чистым цветом и низкими рабочими напряжениями. [ DOI ]

Публикация в формате сохранить в файл сохранить в файл сохранить в файл сохранить в файл сохранить в файл сохранить в файл скрыть