Synergistic effect of VUV photons and F atoms on damage and etching of porous organosilicate filmстатья

Статья опубликована в высокорейтинговом журнале

Информация о цитировании статьи получена из Scopus, Web of Science
Статья опубликована в журнале из списка Web of Science и/или Scopus
Дата последнего поиска статьи во внешних источниках: 10 августа 2018 г.

Работа с статьей


[1] Synergistic effect of vuv photons and f atoms on damage and etching of porous organosilicate film / D. V. Lopaev, S. M. Zyryanov, A. I. Zotovich et al. // Plasma Processes and Polymers. — 2018. — P. e1700213. Synergistic effect between VUV photons and F atoms in both damage and etching of porous organosilicate (OSG) low-k films was studied. It was shown that both the OSG damage and etching rates by F atoms notably drop with decreasing temperature due to the existence of activation energy while the rate of the VUV-induced damage practically does not change. The joint exposure can significantly exceed the sum of the separate effects of VUV photons and F atoms. The reason is that absorbed photons energy allows F atoms to overcome the activation barrier especially under lowered temperature. A possible mechanism of F atom surface reactions assisted by VUV photons is analyzed and discussed. [ DOI ]

Публикация в формате сохранить в файл сохранить в файл сохранить в файл сохранить в файл сохранить в файл сохранить в файл скрыть