The influence of synthesis parameters on graphene films growth by chemical vapor deposition methodтезисы доклада Тезисы

Дата последнего поиска статьи во внешних источниках: 24 октября 2018 г.

Работа с тезисами доклада

Прикрепленные файлы


Имя Описание Имя файла Размер Добавлен
1. Полный текст Nguen-paper.pdf 2,2 МБ 20 февраля 2018 [Obraztsova]

[1] The influence of synthesis parameters on graphene films growth by chemical vapor deposition method / H. T. Cao Le, D. Q. Le, N. H. Phan et al. // Proc. of 3rd International Conference on Advanced Materials and Nanotechnology, Hanoi, 2016. — Hanoi University of Science and Technology Hanoi (Vietnam), 2017. — P. 304–307. Графеновые пленки (2-3 слоя) успешно синтезированы методом химического газофазного осаждения (CVD) при атмосферном давлении. Метан был использован как источник углерода, а медные (Cu) или медно-серебряные (Cu/Ag) пластины - как каталитические подложки. Результат влияния газов (метан, водород), каталитических подложек (Cu, Cu/Ag) и импульсного CVD режима на рост графеновых пленок был детально исследован методами сканирующей электронной микроскопии (СЭМ), просвечивающей электронной микроскопии и комбинационного рассеяния света. Было установлено, что композитный состав подложки (Cu/Ag) и импульсный режим осаждения положительно влияют на качество осаждаемой графеновой пленки.

Публикация в формате сохранить в файл сохранить в файл сохранить в файл сохранить в файл сохранить в файл сохранить в файл скрыть