Кристаллизация тонких пленок платины и сплавов платина-родий для создания устройств микроэлектроники нового поколенияНИР

Crystallisation of the Pt and PtRh thin films for creation of the new generation of microelectronic devices

Источник финансирования НИР

грант Президента РФ

Этапы НИР

# Сроки Название
1 17 января 2018 г.-31 декабря 2018 г. Кристаллизация тонких пленок платины
Результаты этапа: В качестве основы для создания планарных структур выбраны пористые пленки анодного оксида алюминия (АОА) толщиной 30 мкм. К преимуществам данного материала следует отнести коэффициент термического расширения (КТР), близкий к металлической платине, высокую механическую прочность, а также уникальную пористую структуру, которая обеспечивает высокую адгезию напыляемых слоев. Структурированные в виде двумерной спирали тонкие пленки платины, толщиной 100 нм, были сформированы на поверхности АОА методом магнетронного напыления с использованием технологии взрывной фотолитографии. Электрическое сопротивление полученных двумерных платиновых спиралей при комнатной температуре составило около 75 Ом. Исследование структурных изменений, происходящих в тонких пленках при изменении температуры (T), реализовано путем in situ измерения элек-трического сопротивления (R) при термической обработке. На первом эта-пе работы экспериментально получена температурная зависимость ТКС тонкопленочной платины, которая демонстрирует равномерное увеличение от 0,0016 1/К при комнатной температуре до 0,0038 1/К при 910 °С. Учет вклада ТКС в изменение сопротивления путем нормировки на него зависимости R(T), зарегистрированной при линейном нагреве, позволили оценить температурную зависимость скорости рекристаллизации. Установлено, что данный процесс протекает с наибольшей интенсивностью при температуре около 730 °C. Эволюция морфологии и кристаллической структуры в тонких пленках платины исследована с использованием растровой электронной микроскопии и дифракции обратно рассеянных электронов. Исходные образцы со-стоят из кластеров размером ~ 30 нм. Термическая обработка в диапазоне температур 650 ÷ 800 °C приводит к увеличению среднего размера зерна тонкой пленки до ~ 100 нм. Существенный рост зерен платины наблюдает-ся при температурах выше 800 °C. Данный процесс сопровождается фор-мированием в структуре материала полостей и крупных кристаллитов раз-мером несколько микрон. По данным дифракции обратно рассеянных электронов (EBSD) рекристаллизация платины сопровождается появлением текстуры в направлении <111>, которая становится более выраженной по мере увеличения темпера-туры отжига.
2 1 января 2019 г.-31 декабря 2019 г. Кристаллизация тонких пленок платина/родий
Результаты этапа:

Прикрепленные к НИР результаты

Для прикрепления результата сначала выберете тип результата (статьи, книги, ...). После чего введите несколько символов в поле поиска прикрепляемого результата, затем выберете один из предложенных и нажмите кнопку "Добавить".