Оптическая спектроскопия материалов микро- и оптоэлектроникиНИР

Источник финансирования НИР

госбюджет, раздел 0110 (для тем по госзаданию)

Этапы НИР

# Сроки Название
9 1 января 2014 г.-31 декабря 2014 г. Оптическая спектроскопия материалов микро- и оптоэлектроники
Результаты этапа: Методом спектроскопии фотоотражения исследованы межзонные переходы в квантовых ямах на основе соединений GaAs/AlGaAs разной ширины. Показано, что параметр уширения спектральных линий, связанных с переходами в области множественных квантовых ям увеличивается с увеличением ширины ямы с увеличением энергии уровней. Данный характер изменения параметра уширения указывает на переход квантово-размерных электронно-дырочных состояний от двумерного случая к трехмерному. Разработана методика оценивания пространственной неоднородности гетерограниц по значениям параметра уширения модуляционного спектра. Методом спектроскопии электроотражения исследовались интерференционные эффекты в многослойных гетероструктурах на основе соединений AlGaN/GaN/InGaN типа вюрцита – прототипах светоизлучающих диодов синего диапазона. Обнаружено, что линии электроотражения, связанные с межзонными переходами в области множественных квантовых ям, имеют фиксированную разность фазовых параметров в режиме малой модуляции встроенных полей. Наблюдаемое явление объяснено интерференцией в слоях множественных квантовых ям.
10 1 января 2015 г.-31 декабря 2015 г. Оптическая спектроскопия материалов микро- и оптоэлектроники
Результаты этапа: В 2015 году продолжались работы по исследованию гетероструктур на основе соединений нитрида галлия, арсенида галлия и их тройных и четвертных растворов. Методом спектроскопии электроотражения впервые исследованы межзонные переходы вблизи фундаментального края поглощения четвертного соединения AlInGaN в составе гетеростурктуры AlInGaN/AlN/GaN. Предложена методика выделения сигнала электроотражения от слоя AlInGaN на фоне более интенсивного сигнала электроотражения от слоя GaN. Показано, что напряженность пьезоэлектрического поля в слоях AlInGaN убывает с увеличением толщины прослойки AlN. Полученная информация имеет важное практическое применение в технологии изготовления транзисторов с высокой подвижностью носителей (HEMT-структуры). Методом спектроскопии фотоотражения исследованы слои GaAs, выращенные методом молекулярно-пучковой эпитаксии на кремниевых подложках при низких температурах роста. Показано, что основным источником электрического поля в слое GaAs является сконцентрированный на гетероинтерфейсе GaAs/Si заряд. Оценена плотность этого заряда. План НИР выполнен. Опубликовано 2 статьи, 6 учебных пособий, сотрудники группы сделали 5 докладов на 3 международных конференциях и 2 Всероссийских конференциях. Соавторами 2 тезисов докладов являлись студенты и аспиранты.
11 1 января 2016 г.-31 декабря 2016 г. Оптическая спектроскопия материалов микро- и оптоэлектроники
Результаты этапа: Методом спектроскопии электроотражения впервые исследованы серии светодиодных гетероструктур при малых амплитудах модулирующего напряжения, подаваемого на контакты pn перехода. Обнаружено, что в таком режиме регистрации спектров удается разрешить линии, связанные с отдельными квантовыми ямами активной области. Различие в положении этих линий объяснено неоднородностью электрического поля в области pn перехода. Методом спектроскопии фотоотражения исследованы слои GaAs, выращенные методом молекулярно-пучковой эпитаксии на кремниевых подложках при низких температурах роста, а также слои GaAsBi. Показано, что основным источником электрического поля в слое GaAs является сконцентрированный на гетероинтерфейсе GaAs/Si заряд. Оценена плотность этого заряда. Обнаружена модификация зонной структуры GsAs, обусловленная внедрением висмута. Опубликовано 2 статьи, 2 учебных пособия, сотрудники группы сделали 4 доклада на 3 Всероссийских конференциях. Соавторами 1 статьи и 4 тезисов докладов являлись студенты и аспиранты.
12 1 января 2017 г.-31 декабря 2017 г. Оптическая спектроскопия материалов микро- и оптоэлектроники
Результаты этапа: 1. Продолжены исследованы спектров поглощения, электро и фотоотражения квантовых ям InGaN. 2. Получена информация о фото/термоиндуцированных сдвигах положения фотонной запрещенной зоны в фотонных кристаллах на основе пористого кремния. 3. Ссоздана модель, описывающая сдвиг фотонной запрещенной зоны с учетом тепловых и светоиндуцированных процессов. 4. Методом спектроскопии электроотражения исследованы светодиодные гетероструктуры при малых амплитудах модулирующего напряжения, подаваемого на контакты pn перехода. 5.Методом спектроскопии фотоотражения исследованы слои GaAs, выращенные методом молекулярно-пучковой эпитаксии при низких температурах роста.
13 1 января 2018 г.-31 декабря 2018 г. Оптическая спектроскопия материалов микро- и оптоэлектроники
Результаты этапа: В 2018 году продолжались работы по исследованию гетероструктур на основе соединений нитрида галлия, арсенида галлия и их тройных и четвертных растворов методами модуляционной спектроскопии. Исследованы светодиодные гетероструктуры на основе InGaN/GaN с различным количеством квантовых ям в активной области методом фототока при комнатной температуре. Методом спектроскопии электроотражения впервые исследованы серии светодиодных гетероструктур с отдельными квантовыми ямами активной области. Методами спектроскопии электроотражения и электролюминесценции при контроле вольтамперных характеристик исследована серия светодиодных гетероструктур ближней УФ части спектрального диапазона. В спектрах электролюминесценции обнаружены особенности обусловленные излучательной рекомбинацией на глубоких акцепторах. Предложена модель, учитывающаяй комбинированную плотность состояний вблизи краев зон. Методом спектроскопии фотоотражения исследованы слои GaAs, выращенные методом молекулярно-пучковой эпитаксии на кремниевых подложках при низких температурах роста. Показано, что основным источником электрического поля в слое GaAs является сконцентрированный на гетероинтерфейсе GaAs/Si заряд. Получена информация о фото/термоиндуцированных сдвигах положения фотонной запрещенной зоны в фотонных кристаллах на основе пористого кремния. Разработана модель, описывающая сдвиг фотонной запрещенной зоны с учетом тепловых и светоиндуцированных процессов в одномерных фотонных кристаллах на основе пористого кремния.. Опубликована 1 статья, сотрудники группы сделали 1 доклад на 1 международной конференции. План работ выполнен.
14 1 января 2019 г.-31 декабря 2019 г. Оптическая спектроскопия материалов микро- и оптоэлектроники
Результаты этапа:
15 1 января 2020 г.-31 декабря 2020 г. Оптическая спектроскопия материалов микро- и оптоэлектроники
Результаты этапа:

Прикрепленные к НИР результаты

Для прикрепления результата сначала выберете тип результата (статьи, книги, ...). После чего введите несколько символов в поле поиска прикрепляемого результата, затем выберете один из предложенных и нажмите кнопку "Добавить".