Полупроводниковое материаловедениеНИР

Semiconductor

Источник финансирования НИР

госбюджет, раздел 0110 (для тем по госзаданию)

Этапы НИР

# Сроки Название
8 1 января 2014 г.-31 декабря 2014 г. Полупроводниковое материаловедение
Результаты этапа: Обнаружена нетривиальная фотопроводимость в монокристаллах PbTe(Ga), находящихся при гелиевой температуре, под действием мощных терагерцовых лазерных импульсов. Показано, что легирование оловом коллоидных нанокристаллов оксида индия приводит к смещению края поглощения в коротковолновую область видимой части спектра и появлению значительного поглощения в инфракрасной области спектра. Обнаружен эффект переключения резистивного состояния композитов на основе PPV и металлических наночастиц под действием коротких импульсов электрического поля.
9 1 января 2015 г.-31 декабря 2015 г. Полупроводниковое материаловедение
Результаты этапа:
10 1 января 2016 г.-31 декабря 2016 г. Полупроводниковое материаловедение
Результаты этапа:
11 1 января 2017 г.-31 декабря 2017 г. Полупроводниковое материаловедение
Результаты этапа:
12 1 января 2018 г.-31 декабря 2018 г. Полупроводниковое материаловедение
Результаты этапа:
13 1 января 2019 г.-31 декабря 2019 г. Полупроводниковое материаловедение
Результаты этапа:
14 1 января 2020 г.-31 декабря 2020 г. Полупроводниковое материаловедение
Результаты этапа:
15 1 января 2021 г.-31 декабря 2021 г. Полупроводниковое материаловедение
Результаты этапа:

Прикрепленные к НИР результаты

Для прикрепления результата сначала выберете тип результата (статьи, книги, ...). После чего введите несколько символов в поле поиска прикрепляемого результата, затем выберете один из предложенных и нажмите кнопку "Добавить".