Полупроводниковое материаловедениеНИР

Semiconductor

Источник финансирования НИР

госбюджет, раздел 0110 (для тем по госзаданию)

Этапы НИР

# Сроки Название
8 1 января 2014 г.-31 декабря 2014 г. Полупроводниковое материаловедение
Результаты этапа: Обнаружена нетривиальная фотопроводимость в монокристаллах PbTe(Ga), находящихся при гелиевой температуре, под действием мощных терагерцовых лазерных импульсов. Показано, что легирование оловом коллоидных нанокристаллов оксида индия приводит к смещению края поглощения в коротковолновую область видимой части спектра и появлению значительного поглощения в инфракрасной области спектра. Обнаружен эффект переключения резистивного состояния композитов на основе PPV и металлических наночастиц под действием коротких импульсов электрического поля.
9 1 января 2015 г.-31 декабря 2015 г. Полупроводниковое материаловедение
Результаты этапа:
10 1 января 2016 г.-31 декабря 2016 г. Полупроводниковое материаловедение
Результаты этапа:
11 1 января 2017 г.-31 декабря 2017 г. Полупроводниковое материаловедение
Результаты этапа:
12 1 января 2018 г.-31 декабря 2018 г. Полупроводниковое материаловедение
Результаты этапа:
13 1 января 2019 г.-31 декабря 2019 г. Полупроводниковое материаловедение
Результаты этапа: Проведены исследования терагерцовой фотопроводимости в топологически нетривиальных узкощелевых полупроводниках HgCdTe в магнитном поле. Показано, что в топологической фазе наблюдается необычная РТ-симметричная фотопроводимость в терагерцовом спектральном диапазоне. Проведены исследования инфракрасной и терагерцовой фотопроводимости в твердых растворах AlGaAs с DX-центрами. Показано, что независимо от положения квазиуровня Ферми наблюдается значительная положительная фотопроводимость при энергии квантов возбуждающего излучения, существенно меньших характерных энергий электронного спектра. Проведены исследования спектров фотопроводимости твердых растворов на основе узкощелевых полупроводников PbSnTe(In).Обнаружены особенности спектра фотопроводимости, обусловденные примесными состояниями индия.
14 1 января 2020 г.-31 декабря 2020 г. Полупроводниковое материаловедение
Результаты этапа: Проведены исследования нелокальной фотопроводимости в топологически нетривиальных узкощелевых полупроводниках HgCdTe в магнитном поле. Показано, что в топологической фазе сплавов наблюдается нетривиальная киральная фотопроводимость. Киральность эффекта зависит от направления магнитного поля и от полярности приложенного электрического смещения. Проведены исследования фотоэлектромагнитного эффекта в тривиальной и топологической фазах топологического кристаллического изолятора PbSnTe. Показано, что при ориентации пленок <111> амплитуда фотоэлектромагнитного эффекта масштабируется в зависимости от мощности падающего излучения для тривиальной фазы и в зависимости от потока падающих квантов для топологической фазы. Проведены исследования спектров фотопроводимости легированных узкощелевых полупроводников HgCdTe. Обнаружены особенности спектров фотопроводимости, обусловленные наличием двухзарядных акцепторов в HgCdTe, легированном As.
15 1 января 2021 г.-31 декабря 2021 г. Полупроводниковое материаловедение
Результаты этапа:
16 1 января 2022 г.-31 декабря 2022 г. Полупроводниковое материаловедение
Результаты этапа:
17 1 января 2023 г.-31 декабря 2023 г. Полупроводниковое материаловедение
Результаты этапа:

Прикрепленные к НИР результаты

Для прикрепления результата сначала выберете тип результата (статьи, книги, ...). После чего введите несколько символов в поле поиска прикрепляемого результата, затем выберете один из предложенных и нажмите кнопку "Добавить".