ИСТИНА

Пленки Indium-Fluorine-Oxide (IFO) наносили на кристаллический кремний и стекло методом pyrosol. Исследовано влияние температуры подложки, отношения концентраций фтора к индию в пленкообразующем растворе, концентрации кисло-рода в составе газа-носителя и скорости потока газа-носителя при нанесении пленок IFO на кремниевые (pp+)Si и (nn+)Si структуры, а также последующих отжигов по-лученных гетероструктур в различных средах на их фотоэлектрические характери-стики. Обнаружено, что IFO формирует выпрямляющий контакт к р-Si, позволяет получить высокое фотонапряжение Up = 586 мВ и внутренний квантовый выход >97% для IFO/(pp+)Si структуры, обладает низким (0.3-0.4 мОм•см) удельным сопро-тивлением. Увеличению Up способствует повышение температуры осаждения IFO, низкое содержание кислорода в газе-носителе и отжиг в аргоне с парами метанола. Сделан вывод о сильном влиянии кислорода на поверхности зерен IFO, а также пе-реходного SiO2-x слоя на фотоэлектрические свойства IFO/(pp+)Si структуры. Изготовлены модельные солнечные элементы на гетеропереходе IFO/(pp+)Si по технологии Laminated Grid Cell, изучены их параметры преобразования. На гете-ропереходе достигнута эффективность преобразования 15.2%. Изготовлены двусторонние солнечные элементы по технологии Laminated Grid Cell со структурой IFO/(n+pp+)Cz-Si/ITO с пленкой IFO в качестве прозрачного элек-трода к диффузионному n+-Si эмиттеру. Исследованы параметры солнечных элемен-тов, достигнута эффективность преобразования 18.8% с лица, 12.7% - с тыла. Проведенный анализ позволяют сделать вывод, что полученные в данной ра-боте результаты превосходят мировой уровень, причем даже для лабораторных сол-нечных элементов.