ИСТИНА |
Войти в систему Регистрация |
|
Интеллектуальная Система Тематического Исследования НАукометрических данных |
||
Для целого ряда научных и технических приложений требуются источники излучения с переменной длиной волны. Так, например, в спектроскопии часто необходимо подбирать излучение, соответствующее энергиям переходов определенных атомов или молекул. Аналогичная необходимость перестройки длины волны возбуждающего излучения часто встречается в физике полупроводников при исследовании, например, фотопроводимости, глубоких центров или экситонов. В связи с этим замена обычно применяемого в таких случаях набора диодов одним регулируемым источником представляется весьма актуальной проблемой. Подход к ее решению может быть различным, в частности, ширина запрещенной зоны, определяющая длину волны излучения, заметно меняется с температурой. Другим из таких подходов может быть изменение зонной структуры излучающего твердотельного элемента с помощью давления, что уже само по себе представляет интересное фундаментальное исследование. Один из удачных экспериментов в этом направлении, насколько нам известно, осуществлен в работе “Wavelength tuning of laser diodes using hydrostatic pressure” by Filip Dybala, Pavel Adamiec et al, Proc. SPIE 4989, 181 (2003). В настоящем проекте мы предполагаем использование для этой цели очень простой в исполнении оригинальный метод одноосного сжатия, в котором исследуемый образец открыт для оптических измерений, вместо сложной и чрезвычайно трудной в эксплуатации камеры всестороннего сжатия с оптическими окнами.
Сконструирован и создан оптический криостат, позволяющий исследовать спектры электро и фотолюминесценции образцов в условиях непрерывного изменения одноосного сжатия до величины давления Р=5 кбар при температуре жидкого азота, а также автоматизированная установка для измерения спектров электролюминесценции светодиодов, выполненная на базе связанного с персональным компьютером монохроматора МДР-12. Показана возможность перестройки спектра излучения гетероструктур с помощью одноосной деформации: в диодах p-AlGaAs/GaAsP/n-AlGaAsAs осуществлено изменение оптической щели на 25 мэВ, установлено наличие кроссовера при давлении 4.5-5 кбар, наблюдено увеличение интенсивности излучения диодов под давлением до 5 кбар. Проведен анализ возможных факторов роста интенсивности электролюминесценции при сжатии и сделан вывод, что наиболее вероятной причиной является приближение под давлением состояний тяжелых и легких дырок к кроссоверу. Смешивание состояний в окрестности точки слияния (вырождения) сильно влияет на оптические свойства, в первую очередь благодаря возрастанию объединенной плотности состояний. Опубликованы 6 и принята к печати 1 статья в реферируемых изданиях, сделано 11 докладов на Международных и Всероссийских конференциях.
грант РФФИ |
# | Сроки | Название |
1 | 1 января 2007 г.-31 декабря 2007 г. | Перестройка спектра излучения квантовых наноструктур с помощью одноосной упругой деформации. |
Результаты этапа: | ||
2 | 1 января 2008 г.-31 декабря 2008 г. | Перестройка спектра излучения квантовых наноструктур с помощью одноосной упругой деформации. |
Результаты этапа: | ||
3 | 1 января 2009 г.-31 декабря 2009 г. | Перестройка спектра излучения квантовых наноструктур с помощью одноосной упругой деформации. |
Результаты этапа: |
Для прикрепления результата сначала выберете тип результата (статьи, книги, ...). После чего введите несколько символов в поле поиска прикрепляемого результата, затем выберете один из предложенных и нажмите кнопку "Добавить".