ИСТИНА

Настоящий проект направлен на изучение фундаментальных свойств соединений Ge и Si, а также на исследование возможности прикладного использования синтезированных соединений в таких областях как электроника, оптика, создание новых функциональных материалов.

Исследования по тематике гранта были направлены в двух направлениях. Первое - это отработка методик синтеза новых олигогерманов и родственных им производных со связями Ge–Si и Ge–Sn и определение границ применения возможных методов сборки новых производных путем создания связи Ge–Ge(Si, Sn). Второе направление - это исследование физико-химических свойств полученных соединений методами рентгеноструктурного анализа, ультрафиолетовой спектроскопии, квантовой химии. Основной задачей здесь было установление влияния свойств заместителей при атоме элемента 14 группы на степень делокализации электронов по связям Ge–Ge(Si, Sn).