Моделирование напыления аморфных оптических пленок и исследование структурных особенностей, влияющих на их лучевую прочностьНИР

Simulation of deposition of amorphous optical films and study of structural features affecting their threshold of the laser induced damage

Источник финансирования НИР

грант РНФ

Этапы НИР

# Сроки Название
1 1 мая 2023 г.-31 декабря 2023 г. Моделирование напыления аморфных оптических пленок и исследование структурных особенностей, влияющих на их лучевую прочность
Результаты этапа: Предложенный ранее метод молекулярно-динамического моделирования осаждения тонких пленок из металлических мишеней адаптирован к случаю диэлектрических мишеней и применен к пленкам диоксида кремния. Возможность выхода из мишени не только атомов кремния, но и кластеров с атомами кислорода учтена добавлением в поток осаждаемых атомов молекул O=Si=O. Атомистические кластеры пленок получены как высокоэнергетическим, так и низкоэнергетическим напылением при различном процентном содержании молекул в потоке осаждаемых на подложку частиц. Если поток осаждаемых частиц движется перпендикулярно подложке, то введение в поток молекул O=Si=O приводит к уплотнению пленки. При низкоэнергетическом напылении (E(Si) = 0.1 эВ) увеличение плотности достигает 0.5 г/см3, что в два раза превышает аналогичный эффект при высокоэнергетическом напылении (E = 10 эВ). Такое уплотнение связано с изменением взаимной ориентации структурных тетраэдров SiO4, поскольку длина связей Si-O и угол Si-O-Si изменяются незначительно. Изменение показателя преломления вследствие уплотнения пленки достигает 0.025 для низкоэнергетических пленок. Рассчитаны величины компонент тензора напряжений. При высокоэнергетическом осаждении наблюдаются сжимающие напряжения, при низкоэнергетическом – растягивающие. Абсолютные значения диагональных компонент тензора напряжений растут с увеличением доли молекул в потоке осаждаемых частиц. Выполнено моделирование осаждения (напыления) под большими углами. При угле напыления α = 60 град. плотность пленки меняется примерно так же, как и при нормальном напылении. В случае α = 70 град. увеличение доли молекул O=Si=O приводит к разнонаправленным изменениям зависимости плотности пленки от ее толщины. Проведено классическое молекулярно-динамическое моделирование напыления тонких пленок ZnO. Начальная энергия осаждаемых на подложку атомов Zn равна 10 эВ, энергия атомов кислорода — 0.1 эВ. Эти параметры удовлетворяют условиям высокоэнергетического напыления. Значения углов напыления равны 0 (нормальное напыление), 70 град (напыление под большим углом) и 40 град. (промежуточное значение угла напыления). Показано, что нормальное напыление приводит к образованию плотной пленки ZnO. Увеличение угла до 40 град. приводит к образованию пор и увеличению доли свободного объема до 4% от 0% при нормальном напылении. Дальнейшее увеличение угла напыления до 70 град приводит к образованию наноструктурированной пленки с наклонными столбцами. Доля свободного объема увеличивается до 40% за счет пустого объема между столбцами. Моделирование проводится с использованием параллельных вычислений на 32 ядрах. По оценкам, эффективность распараллеливания составляет около 90%. Проведено исследование эффективности и точности МД-моделирования тонких пленок диоксида кремния для различных параметров метода Particle Mesh Ewald (PME) с использованием программы GROMACS. Для моделирования используются два кластера, представляющие собой изотропную плотную и анизотропную пористую пленки. Выявлено, что увеличение параметра fourierspacing с 0.05 до 0.2 нм сокращает время моделирования в 2-3 раза. Это уменьшение сопровождается ростом дальнодействующего слагаемого в электростатической энергии. Рост параметра interpolation order с 4 (значение по умолчанию) до 12 приводит к увеличению времени моделирования примерно на порядок. Таким образом, высокое значение interpolation order следует использовать только тогда, когда требуется высокая точность моделирования. Для всех значений исследованных параметров PME короткодействующее слагаемое электростатической энергии отрицательно. Значения основных компонент тензора давления изменяются в пределах нескольких процентов при изменении параметров fourierspacing и interpolation order в исследуемом интервале. Эффективность параллельных вычислений снижается незначительно с увеличением числа вычислительных ядер с 8 до 64. Проведено атомистическое исследование аморфных композитных оксидов HfO2-SiO2 для объяснения экспериментально наблюдаемого аномального поведения показателя преломления с увеличением содержания Si. Аномальное поведение заключается в том, что высокий показатель преломления HfO2 еще больше увеличивается при добавлении диоксида кремния, имеющего низкий показатель преломления. Использован метод получения аморфных состояний высокотемпературных оксидов путем плавления-закалки исходного кристалла HfO2, содержащего различное количество примесных атомов Si. Расчеты проведены методом квантовой молекулярной динамики. Координационные числа атомов Hf, Si и O рассчитаны при различных уровнях легирования. Изменение атомной структуры a-HfO2 и его плотности в зависимости от уровня легирования объясняет аномальное поведение показателя преломления. Впервые проведено моделирование методами квантовой молекулярной динамики атомистической и электронной структуры ламинатных квантовых нанослоёв Ta2O5 в диоксиде кремния. Показано, что электронный спектр, в частности запрещенная зона, существенно зависит от того, как атомы Ta распределены в диоксиде кремния: равномерно распределены в матрице диоксида кремния, или сгруппированы в нанослои Ta2O5. Исследование свойств таких квантовых нанослоёв может привести к созданию нового класса оптических покрытий.
2 1 января 2024 г.-31 декабря 2024 г. Моделирование напыления аморфных оптических пленок и исследование структурных особенностей, влияющих на их лучевую прочность
Результаты этапа:
3 1 января 2025 г.-31 декабря 2025 г. Моделирование напыления аморфных оптических пленок и исследование структурных особенностей, влияющих на их лучевую прочность
Результаты этапа:

Прикрепленные к НИР результаты

Для прикрепления результата сначала выберете тип результата (статьи, книги, ...). После чего введите несколько символов в поле поиска прикрепляемого результата, затем выберете один из предложенных и нажмите кнопку "Добавить".