Получение бессвинцовых гибридных галогенидных полупроводников с использованием полииодидов для оптоэлектронных примененийНИР

Polyiodide assisted fabrication of lead-free hybrid halide semiconductors for optoelectronic applications

Источник финансирования НИР

грант РФФИ

Этапы НИР

# Сроки Название
1 1 марта 2021 г.-28 февраля 2022 г. Получение бессвинцовых гибридных галогенидных полупроводников с использованием полииодидов для оптоэлектронных применений
Результаты этапа: Синтезировано 18 новых соединений, в кристаллических структурах которых наблюдается сосуществование галогенметаллатных анионов и полииодидных фрагментов. Показано, что взаимодействие полииодидов предельных и ароматических аминов с галогенидами или оксидами металлов позволяет получать полигалогенметаллаты различного состава, что можно контролировать соотношением реагентов, концентрацией иодистоводородной кислоты и добавлением второго растворителя (ацетон, ацетонитрил). С привлечением различных физико-химических методов установлены локальная и протяженная кристаллическая структура новых соединений, их термическая устойчивость, люминесцентные свойства и ширина запрещенной зоны. Исследования электронной структуры показали, что оптические свойства определяются переходом с з-орбиталей галогена полигалогенидных фрагментов на s-орбитали непереходного металла, центрирующего галогенметаллатный октаэдрический анион. Получена первичная информация о возможности получения тонких пленок бессвинцовых галогенметаллатов через полигалогенидные прекурсоры. По материалам работ опубликована 1 статья.
2 1 марта 2022 г.-15 января 2024 г. Получение бессвинцовых гибридных галогенидных полупроводников с использованием полииодидов для оптоэлектронных применений
Результаты этапа: Задача проекта заключалась в разработке материалов на основе комплексных гибридных галогенидов, не содержащих в своём составе свинец, улучшение функциональных свойств плёнок данных материалов и тестирование возможности их применения в фотовольтаике и оптоэлектронике. В результате выполнения проекта разработан полииодидный метод для получения гибридных галогенидов некоторых металлов и их комбинаций и изучение их фундаментальных свойств. Установлено, что конверсия металлических тонких пленок в соответствующие полупроводниковые галогениды полииодным методом и/или методом йодирования является успешным для чистого Bi и смешанных тонких пленок Ag0,5Bi0,5, что позволило получить йодовисмутаты MA3Bi2I9 и AgBiI4 и детально исследовать их оптоэлектронные свойства. Определено, что эти соединения являются прямозонными полупроводниками с шириной запрещенной зоны 1,80-1,86 эВ, и их зонная структура открывает возможность использования этих соединений в качестве светопоглощающих материалов в стандартной архитектуре FTO/ETL/RDF/HTL/Au. Изготовление тонких пленок AgBiI4 путем прямой конверсии слоев Ag0,5Bi0,5 в парах йода привело к отличной морфологии пленок AgBiI4. Наилучшее значение КПД солнечного элемента составило 2,83% для планарной архитектуры FTO/c-TiO2/AgBiI4/spiro-OMeTAD/Au, что является мировым рекордом PCE для соединения AgBI4. Установлено, что AgBiI4 является одним из наиболее перспективных материалов для создания мемристорных устройств в архитектуре ITO/AgBiI4/Ag. Для разработки оптимальных методов конверсии синтезированы и детально исследованы полииодиды, полииодоантимонаты и полииодовисмутаты различных органических аммонийных катионов, содержащие иод в форме I-, I2, I3- и I5-. Показано, что такие соединения формируются при участии большого числа различных слабых связей и нековалентных взаимодействий, основную роль среди которых играют связи (N)H…I и I…I, вовлекающие как атомы водорода органических катионов, так и атомы иода из полииодидных фрагментов, благодаря чему формируются трехмерные каркасные структуры. Предложен метод определения особенностей полииодидного фрагмента на основе анализа КР-спектров. Слабые связи и нековалентные взаимодействия проанализированы с использованием топологического анализа функции электронной локализации и метода приведенного градиента плотности, что позволило установить особенности формирования многоуровневых супрамолекулярных структур в полииодометаллатах различных органических аммонийных катионов. По результатам работ по проекту опубликованы четыре статьи, включая одну совместную с японской группой.

Прикрепленные к НИР результаты

Для прикрепления результата сначала выберете тип результата (статьи, книги, ...). После чего введите несколько символов в поле поиска прикрепляемого результата, затем выберете один из предложенных и нажмите кнопку "Добавить".