|
ИСТИНА |
Войти в систему Регистрация |
Интеллектуальная Система Тематического Исследования НАукометрических данных |
||
Разработка технологий высокочистых веществ для компонентной базы фотоники и СВЧ электроники: металлический галлий и оксид вольфрама (VI)НИР
Development of high-purity technologies for the component base of photonics and microwave electronics: metallic gallium and tungsten (VI) oxide
- Руководитель НИР: Аветисов И.Х.
- Ответственный исполнитель: Можевитина Е.Н.
- Участники НИР: Аветисов Р.И., Аккузина А.А., Гришечкин М.Б., Зыкова М.П., Сайфутяров Р.Р., Хомяков А.В.
- Подразделение: Кафедра химии и технологии кристаллов
- Срок исполнения: 28 ноября 2018 г. - 30 декабря 2020 г.
- Номер договора (контракта, соглашения): 075-02-2018-185
- Номер ЦИТИС: ÀÀÀÀ-À18-118121390077-2
- Тип: Прикладная
- Приоритетное направление научных исследований: другое
- ПН России: Энергоэффективность, энергосбережение, ядерная энергетика
- Направление технологического прорыва России: Энергоэффективность и энергосбережение
- Критическая технология России: Технологии получения и обработки конструкционных наноматериалов
-
Рубрики ГРНТИ:
- 61.31.51 Остальные элементы, оксиды, минеральные кислоты, основания, соли
- 61.69.35 Особо чистые вещества
- 61.69.37 Монокристаллы и сцинтилляторы
- 61.69.99 Прочие химические реактивы
-
Ключевые слова:
оксид вольфрама, высокочистые вещества, галлий, технология высокочистых веществ, калий-гадолиниевый вольфрамат
high-purity substances, high-purity technology, gallium, potassium-gadolinium tungstate, tungsten oxide - Добавил в систему: Аветисов Игорь Христофорович
Соисполнители НИР
| ООО "Сибирский монокристалл - ЭКСМА" | Соисполнитель |
Источник финансирования НИР
| ФЦП: Федеральная целевая программа, Федеральная целевая программа «Исследования и разработки по приоритетным направлениям развития научно-технологического комплекса России на 2014 - 2020 годы» |
Этапы НИР
| # | Сроки | Название |
| 1 | 28 ноября 2018 г.-30 декабря 2020 г. | Разработка технологий высокочистых веществ для компонентной базы фотоники и СВЧ электроники: металлический галлий и оксид вольфрама (VI) |
| Результаты этапа: | ||
Прикрепленные к НИР результаты
Для прикрепления результата сначала выберете тип результата (статьи, книги, ...). После чего введите несколько символов в поле поиска прикрепляемого результата, затем выберете один из предложенных и нажмите кнопку "Добавить".