Топологические изоляторы являются новым классом материи. Уникальные физические свойства делают их притягательным объектом для современных исследований. В рамках данного проекта предполагается изучение двумерных топологических изоляторов, созданных путем нанесения монослойных покрытий кремния и германия на монокристаллическую поверхность металлов. Несмотря на замечательные электронные свойства этих материалов, таких как высокая скорость Ферми и линейный закон дисперсии для электронов вблизи точки Дирака, присущая силицену особенность в виде отсутствия запрещенной зоны в энергетическом спектре делает проблемным его применение в электронных приборах. Для успешного создания устройств наноэлектроники с использованием двумерных топологических изоляторов, требуется создание контролируемой энергетической щели в зонной структуре материала. Решение данной задачи планируется осуществить путем контролируемой адсорбции атомарного водорода на поверхность силицена (германена). Также следует отметить тот факт, что несмотря на успешный в последние два года синтез силицена на поверхности монокристалла Ag(111), механизм адсорбции водорода на его поверхности остается не достаточно исследованным, несмотря на возможное использование силицена (германена) как материала, используемого для хранения водорода. Контролируемый и воспроизводимый синтез германена до сих пор не изучен. Поставленная в проекте задача будет решаться с использованием методов сверхвысоковакуумной сканирующей туннельной микроскопии/спектроскопии (в том числе и при низких температурах), дифракции быстрых отраженных электронов и вычислений с использованием теории функционала плотности. Коллектив авторов имеет многолетний опыт в проведении СТМ/СТС исследований и обладает необходимым оборудованием.