Исследование и разработка технологических операций имплантации для MOSFET транзистора на карбид кремниевой подложкеНИР

Research and development of technological implantation operations for MOSFET transistor on silicon carbide substrate

Источник финансирования НИР

Хоздоговор, Хоздоговор

Этапы НИР

# Сроки Название
1 25 июня 2018 г.-1 декабря 2018 г. Исследование и разработка
Результаты этапа:
2 10 января 2019 г.-1 декабря 2019 г. Проведение операций имплантации при изготовлении макета MOSFET транзистора SiC подложке
Результаты этапа:

Прикрепленные к НИР результаты

Для прикрепления результата сначала выберете тип результата (статьи, книги, ...). После чего введите несколько символов в поле поиска прикрепляемого результата, затем выберете один из предложенных и нажмите кнопку "Добавить".