ИСТИНА

Данный проект направлен на разработку нового оптического метода детектирования нанодефектов на поверхности кремниевых пластин, основанного на методике микроскопии второй оптической гармоники. Идея метода состоит в использовании эффекта анизотропии генерации второй оптической гармоники в кремнии, благодаря которому можно реализовать ситуацию, когда генерация второй гармоники от чистой поверхности кремния отсутствует, и источниками нелинейно-оптического сигнала являются только дефекты на кремниевой поверхности. В процессе выполнения проекта будет создана экспериментальная установка по микроскопии второй оптической гармоники, определены экспериментальные условия, при которых сигнал второй гармоники от чистой поверхности кремния отсутствует и проведены эксперименты по определению местоположения кремниевых дефектов на тестовых образцах пластин. Основным результатом проекта будет являться значение минимального размера дефекта, который может быть определен при помощи разрабатываемой технологии.

This project aims to develop a new optical method for detecting of nanodefects on the surface of silicon wafers, based on the second-harmonic generation microscopy technique. The idea of the method is to use the effect of second-harmonic generation anisotropy in silicon, by which it is possible to realize the situation when the second-harmonic generation from a pure silicon surface is eliminated and the sources of nonlinear optical signal are only defects on the silicon surface. In the course of the project, the experimental setup for second-harmonic generation microscopy will be developed, experimental conditions for elimination of second-harmonic signal from the pure silicon surface will be determined and experiments will be performed to locate the silicon defects on test wafers. The main result of the project will be the value of the minimum size of defects, which can be obtained using the developed technology.