Васильевский Иван Сергеевич
пользователь
кандидат физико-математических наук
доктор физико-математических наук
доцент/с.н.с. по специальности № 05.27.01
Национальный исследовательский ядерный университет "МИФИ", кафедра физики конденсированных сред", профессор
Количество цитирований статей в журналах по данным
Web of Science: 274,
Scopus: 327
РИНЦ:
IstinaResearcherID (IRID): 62179494
Деятельность
-
Статьи в журналах
-
-
2022
Study of adsorption of the SARS-CoV-2 virus spike protein by vibrational spectroscopy using terahertz metamaterials
-
Konnikova M.R.,
Cherkasova O.P.,
Geints T.A.,
Dizer E.S.,
Man’kova A.A.,
Vasilievskii I.S.,
Butylin A.A.,
Kistenev Yu V.,
Tuchin V.V.,
Shkurinov A.P.
-
в журнале Quantum Electronics, издательство Turpion - Moscow Ltd. (United Kingdom), том 52, № 1, с. 2-12
DOI
-
-
2020
Терагерцовое излучение фотопроводящих антенн на основе сверхрешеточных структур \LT-GaAs/GaAs:Si\
-
Клочков А.Н.,
Климов Е.А.,
Солянкин П.М.,
Конникова М.Р.,
Васильевский И.С.,
Виниченко А.Н.,
Шкуринов А.П.,
Галиев Г.Б.
-
в журнале Оптика и спектроскопия, том 128, № 7, с. 1004-1011
-
-
2017
Electronic and optical properties of HEMT heterostructures with δ-Si doped GaAs/AlGaAs quantum rings — quantum well system
-
Sibirmovsky Y.D.,
Vasil'evskii I.S.,
Vinichenko A.N.,
Zhigunov D.M.,
Eremin I.S.,
Kolentsova O.S.,
Safonov D.A.,
Kargin N.I.
-
в журнале Journal of Physics: Conference Series, издательство IOP Publishing ([Bristol, UK], England), том 917, с. 032041-032041
DOI
-
-
-
-
2015
Photoluminescence of GaAs/AlGaAs quantum ring arrays
-
Sibirmovskii Y.D.,
Vasil’evskii I.S.,
Vinichenko A.N.,
Eremin I.S.,
Zhigunov D.M.,
Kargin N.I.,
Kolentsova O.S.,
Martyuk P.A.,
Strikhanov M.N.
-
в журнале Semiconductors, издательство Springer (New York), том 49, № 5, с. 638-643
DOI
-
-
2015
Quantum and Transport Scattering Times in AlGaAs/InGaAs nanoheterostructures With AlAs Inserts in The Spacer Layer
-
Galiev G.B.,
Vasil’evskii I.S.,
Klimov E.A.,
Ponomarev D.S.,
Khabibullin R.A.,
Kulbachinskii V.A.,
Gromov D.V.,
Maltsev P.P.
-
в журнале Lithuanian Journal of Physics, издательство Lithuanian Physical Society (Lithuania), том 55, № 4, с. 249-254
-
-
2015
Фотолюминесценция массивов квантовых колец GaAs/AlGaAs
-
Сибирмовский Ю.Д.,
Васильевский И.С.,
Виниченко А.Н.,
Еремин И.С.,
Жигунов Д.М.,
Каргин Н.И.,
Коленцова О.С.,
Мартюк П.А.,
Стриханов М.Н.
-
в журнале Физика и техника полупроводников, издательство Наука. С.-Петерб. отд-ние (СПб.), том 49, № 5, с. 652-657
-
-
-
2013
Electrical and optical properties of near-surface AlGaAs/InGaAs/AlGaAs quantum wells with different quantum-well depths
-
Khabibullin RA,
Galiev GB,
Klimov EA,
Ponomarev DS,
Vasil'evskii IS,
Kulbachinskii VA,
Bokov PY,
AVAKYANTS L.,
Chervyakov AV
-
в журнале Semiconductors, издательство Springer (New York), том 47, № 9, с. 1203-1208
DOI
-
-
-
-
-
-
-
-
2013
Электрофизические и оптические свойства приповерхностных квантовых ям AlGaAs/InGaAs/AlGaAs c различной глубиной залегания
-
Хабибуллин Р.А.,
Галиев Г.Б.,
Климов Е.А.,
Пономарев Д.С.,
Васильевский И.С.,
Кульбачинский В.А.,
Боков П.Ю.,
Авакянц Л.П.,
Червяков А.В.,
Мальцев П.П.
-
в журнале Физика и техника полупроводников, издательство Наука. С.-Петерб. отд-ние (СПб.), том 47, № 9, с. 1215-1220
-
-
2012
Electron effective masses in an InGaAs quantum well with InAs and GaAs inserts
-
Kulbachinskii V.A.,
Yuzeeva N.A.,
Galiev G.B.,
Klimov E.A.,
Vasil’evskii I.S.,
Khabibullin R.A.,
Ponomarev D.S.
-
в журнале Semiconductor Science and Technology, издательство IOP Publishing ([Bristol, UK], England), том 27, с. 035021-1-035021-5
-
-
2012
Electron mobility and effective mass in composite InGaAs quantum wells with InAs and GaAs nanoinserts
-
Ponomarev D.S.,
Vasil’evskii I.S.,
Galiev G.B.,
Klimov E.A.,
Khabibullin R.A.,
Kulbachinskii V.A.,
Uzeeva N.A.
-
в журнале Semiconductors, издательство Springer (New York), том 46, № 4, с. 484-490
DOI
-
-
2012
The built-in electric field in P-HEMT heterostructures with near-surface quantum wells Al xGa 1-xAs/In yGa 1-yAs/GaAs
-
Khabibullin R.A.,
Vasil’evskii I.S.,
Ponomarev D.S.,
Galiev G.B.,
Klimov E.A.,
Avakyanz L.P.,
Bokov P.Yu,
Chervyakov A.V.
-
в журнале Journal of Physics: Conference Series, издательство IOP Publishing ([Bristol, UK], England), том 345, № 1, с. 012015
DOI
-
-
2012
Квантовое и транспортное времена рассеяния электронов в наногетероструктурах In0.52Al0.48As/InxGa1–xAs/In0.52Al0.48As с повышенным содержанием индия
-
Пономарев Д.С.,
Хабибуллин Р.А.,
Васильевский И.С.,
Галиев Г.Б.,
Гладков В.П.,
Кульбачинский В.А.,
Юзеева Н.А.,
Каргин Н.И.,
Стриханов М.Н.
-
в журнале Ядерная физика и инжиниринг, издательство НИЯУ МИФИ (Москва), том 3, № 2, с. 1-6
-
-
2012
Подвижность и эффективная масса электронов в составных квантовых ямах InGaAs с нановставками InAs и GaAs
-
Пономарев Д.С.,
Васильевский И.С.,
Галиев Г.Б.,
Климов Е.А.,
Хабибуллин Р.А.,
Кульбачинский В.А.,
Юзеева Н.А.
-
в журнале Физика и техника полупроводников, издательство Наука. С.-Петерб. отд-ние (СПб.), том 46, № 4, с. 500-506
-
-
2011
Effect of the Built-in Electric Field on Optical and Electrical Properties of AlGaAs/InGaAs/GaAs P-HEMT Nanoheterostructures
-
Khabibullin R.A.,
Vasil’evskii I.S.,
Galiev G.B.,
Klimov E.A.,
Ponomarev D.S.,
Gladkov V.P.,
Kulbachinskii V.A.,
Klochkov A.N.,
Uzeeva N.A.
-
в журнале Semiconductors, издательство Springer (New York), том 45, № 5, с. 657-662
-
-
2011
Scattering and electron mobility in combination-doped HFET-structures AlGaAs/InGaAs/AlGaAs with high electron density
-
Khabibullin R.A.,
Vasil'evskii I.S.,
Galiev G.B.,
Klimov E.A.,
Ponomarev D.S.,
Lunin R.A.,
Kulbachinskii V.A.
-
в журнале Semiconductors, издательство Springer (New York), том 45, № 10, с. 1321-1326
DOI
-
-
2011
Влияние встроенного электрического поля на оптические и электрофизические свойства Р-HEMT наногетероструктур AlGaAs/InGaAs/GaAs
-
Хабибуллин Р.А.,
Васильевский,
Галиев Г.Б.,
Климов Е.А.,
Пономарев Д.С.,
Гладков В.П.,
Кульбачинский В.А.,
Клочков А.Н.,
Юзеева Н.А.
-
в журнале Физика и техника полупроводников, издательство Наука. С.-Петерб. отд-ние (СПб.), том 45, № 5, с. 666-671
-
-
2011
Инженерия волновых функций в наногетероструктурах InAlAs/InGaAs/InAlAs с композитной квантовой ямой, содержащей нановставки InAs
-
Пономарев Д.С.,
Васильевский И.С.,
Галлиев Г.Б.,
Климов Е.А.,
Хабибуллин Р.А.,
Гладков В.П.,
Кульбачинский В.А.
-
в журнале Ядерная физика и инжиниринг, издательство НИЯУ МИФИ (Москва), том 2, № 1, с. 89-93
-
-
-
-
2011
Рассеяние и подвижность электронов в комбинированно-легированных HFET-структурах AlGaAs/InGaAs/AlGaAs с высокой концентрацией электронов
-
Хабибуллин Р.А.,
Васильевский И.С.,
Галиев Г.Б.,
Климов Е.А.,
Пономарев Д.С.,
Лунин Р.А.,
Кульбачинский В.А.
-
в журнале Физика и техника полупроводников, издательство Наука. С.-Петерб. отд-ние (СПб.), том 45, № 10, с. 1373-1378
-
-
2011
Структурные и электрофизические свойства квантовых ям с наноразмерными вставками InAs в гетероструктурах на основе InyAl1-yAs/InxGa1-xAs на подложках InP
-
Васильев А.Л.,
Васильевский И.С.,
Галиев Г.Б.,
Имамов Р.М.,
Климов Е.А.,
Ковальчук М.В.,
Пономарев Д.С.,
Роддатис В.В.,
Субботин И.А.
-
в журнале Кристаллография, издательство ФГУП Издательство «Наука» (Москва), том 56, № 2, с. 324-335
-
-
2009
Low temperature electron magnetotransport in InxGa1−xAs/In0.52Al0.48As quantum wells with high electron density
-
Vasil'evskii I.S.,
Kulbachinskii V.A.,
Galiev G.B.,
Mokerov V.G.,
Tarucha S.,
Oiwa A.
-
в журнале Journal of Physics: Conference Series, издательство IOP Publishing ([Bristol, UK], England), том 150, с. 022096-1-022096-4
DOI
-
-
2007
Electron transport and optical properties of shallow GaAs/InGaAs/GaAs quantum wells with a thin central AlAs barrier
-
Kulbachinskii V.A.,
Vasil'evskii I.S.,
Lunin R.A.,
Galistu G.,
de Visser A.,
Galiev G.B.,
Shirokov S.S.,
Mokerov V.G.
-
в журнале Semiconductor Science and Technology, издательство IOP Publishing ([Bristol, UK], England), том 22, № 3, с. 222-228
DOI
-
-
-
-
2005
WW Domains Provide a Platform for the Assembly of Multiprotein Networks
-
Ingham Robert J.,
Colwill Karen,
Howard Caley,
Dettwiler Sabine,
Lim Caesar S.H.,
Yu Joanna,
Hersi Kadija,
Raaijmakers Judith,
Gish Gerald,
Mbamalu Geraldine,
Taylor Lorne,
Yeung Benny,
Vassilovski Galina,
Amin Manish,
Chen Fu,
Matskova Liudmila,
Winberg Gösta,
Ernberg Ingemar,
Linding Rune,
O'Donnell Paul,
Starostine Andrei,
Keller Walter,
Metalnikov Pavel,
Stark Chris,
Pawson Tony
-
в журнале Molecular and Cellular Biology, издательство American Society for Microbiology (United States), том 25, № 16, с. 7092-7106
DOI
-
-
-
-
2003
Electron transport in coupled quantum wells with double-sided doping
-
Galiev G.B.,
Kaminskii V.E.,
Mokerov V.G.,
Kul'bachinskii V.A.,
Lunin R.A.,
Vasil'evskii I.S.,
Derkach A.V.
-
в журнале Semiconductors, издательство Springer (New York), том 37, № 6, с. 686-691
DOI
-
-
2003
Peculiarities of conductivity in structures delta-doped by Si on vicinal (111)A GaAs substrate
-
Kulbachinskii V.A.,
Galiev G.B.,
Mokerov V.G.,
Lunin R.A.,
Rogozin V.A.,
Derkach A.V.,
Vasil'evskii I.S.
-
в журнале Physica E: Low-Dimensional Systems and Nanostructures, издательство Elsevier BV (Netherlands), том 17, № 1-4, с. 172-173
DOI
-
-
-
2003
Исследование электронного транспорта в связанных квантовых ямах с двухсторонним легированием
-
Галиев Г.Б.,
Каминский Виктор Эдуардович,
Мокеров В.Г.,
Кульбачинский В.А.,
Лунин Р.А.,
Васильевский И.С.,
Деркач А.В.
-
в журнале Физика и техника полупроводников, издательство Наука. С.-Петерб. отд-ние (СПб.), том 37, № 6, с. 711-716
-
-
2002
Conductance anisotropy of delta-Si doped GaAs layers grown by molecular beam epitaxy on (111)A GaAs substrates and misoriented in the [2(1)over-bar(1)over-bar] direction
-
Galiev G.B.,
Mokerov V.G.,
Kul'bachinskii V.A.,
Kytin V.G.,
Lunin R.A.,
Derkach A.V.,
Vasil'evskii I.S.
-
в журнале Doklady Physics, издательство Maik Nauka/Interperiodica Publishing (Russian Federation), том 47, № 6, с. 419-421
DOI
-
-
2002
Анизотропия проводимости в дельта-легированных слоях GaAs, выращенных методом МЛЭ на разориентированных в направлении [2-1-1] подложках (111)A
-
Галиев Г.Б.,
Мокеров В.Г.,
Кульбачинский В.А.,
Лунин Р.А.,
Кытин В.Г.,
Деркач А.В.,
Васильевский И.С.
-
в журнале Доклады Академии наук, издательство Наука (М.), том 384, № 5, с. 611-614
-
Статьи в сборниках
-
-
2012
The Electron Mobility in Isomorphic InGaAs Heterostructures on InP Substrate
-
Kulbachinskii V.A.,
Lunin R.A.,
Yuzeeva N.A.,
Galiev G.B.,
Vasilievskii I.S.,
Klimov E.A.
-
в сборнике Proceedings, 20th Int. Symp. «Nanostructures: Physics and Technology», 26 July - 1 June 2012, NNovgorod, место издания Nizhny Novgorod, с. 199-200
-
-
-
2007
Ferromagnetism and anomalous magnetotransport in GaAs structures with InAs quantum dots or GaAs/InxGa1-xAs/GaAs quantum well delta-doped with Mn and C
-
Kulbachinskii V.A.,
Gurin P.S.,
Lunin R.A.,
Vasilievskii I.S.,
Vikhrova O.V.,
Danilov Yu A.,
Zvonkov B.N.,
Horikoshi Y.,
Onomitsu K.
-
в сборнике 15th International Symposium, Nanostructures: Physics and Technology, Novosibirsk, Russia, June 25–29, 2007, Proceedings, место издания Ioffe Institute St. Petersburg, Russia, с. 218-219
-
-
2007
Influence of thin heterolayer insertion on the electron transport properties of GaAs/InGaAs/GaAs shallow quantum wells
-
Vasil'evskii I.S.,
Galiev G.B.,
Mokerov V.G.,
Kulbachinskii V.A.,
Lunin R.A.,
Galistu G.,
de_Visser A.
-
в сборнике 15th International Symposium, Nanostructures: Physics and Technology, Novosibirsk, Russia, June 25–29, 2007, Proceedings, место издания Ioffe Institute St. Petersburg, Russia, с. 321-322
-
-
2006
Structural and electrophysical properties of pseudomorphic GaAs/InGaAs/GaAs quantum wells: effect of thin central AlAs barrier
-
Vasilievskii I.S.,
Kulbachinskii V.A.,
Lomov A.A.,
Imamov R.M.,
Prokhorov D.Yu,
Chuev M.A.,
Galiev G.B.,
Shirokov S.S.
-
в сборнике Proceedings of SPIE. Micro and Nanoelectronics. V. 6260, edited by K.A. Valiev, A.A. Orlikovsky. 2006, том 6260, с. 62600-1-62600-8
DOI
-
-
2006
Влияние гибридизации состояний на низкотемпературный электронный транспорт в неглубоких квантовых ямах
-
Васильевский И.С.,
Кульбачинский В.А.,
Лунин Р.А.,
Галиев Г.Б.,
Мокеров В.Г.
-
в сборнике 34 Совещание по Физике Низких Температур, 26-30 сентября 2006, Ростов-на-Дону–Лоо, Труды, место издания Ростовский Государственный Университет Ростов-на-Дону, том 2, с. 23-24
-
-
2004
Magnetotransport in doped heterostructures with coupled quantum wells
-
Galiev G.B.,
Kaminskii V.E.,
Mokerov V.G.,
Vasil’evskii I.S.,
Kulbachinskii V.A.,
Lunin R.A.
-
в сборнике 12th International Symposium, Nanostructures: Physics and Technology, St. Petersburg,, 21-25 June 2004, Proceedings, место издания Ioffe Institute St. Petersburg, Russia, с. 348-349
-
-
2003
Peculiarities of electron transport in the coupled AlGaAs/GaAs quantum wells with thin central barrier
-
Kulbachinskii V.A.,
Lunin R.A.,
Vasil’evskii I.S.,
Galiev G.B.,
Mokerov V.G.,
Kaminskii V.E.
-
в сборнике 11th International Symposium, Nanostructures: Physics and Technology, St. Petersburg, June 23-28, 2003, Proceedings, место издания Ioffe Institute, St. Petersburg, Russia St. Petersburg, с. 402-403
-
-
2003
Quasi-1D channels in Si delta-doped GaAs grown on vicinal (111)A GaAs substrate
-
Rogozin V.A.,
Kulbachinskii V.A.,
Kytin V.G.,
Lunin R.A.,
Derkach A.V.,
Vasil'evskii I.S.,
Galiev G.B.,
Mokerov V.G.
-
в сборнике "Physics, Chemistry and Application of Nanostructures", Reviews and Short Notes to Nanomeeting 2003, (ed. V.E. Borisenko, S.V. Gaponenko, V.S. Gurin), Minsk, Belarus, 20-23 May, место издания World Scientific Publishing Co. Pte. Ltd Singapore, с. 503-506
-
-
2002
Анизотропия проводимости в -слоях кремния на вицинальных поверхностях GaAs (111)A и (111)B
-
Рогозин В.А.,
Васильевский И.C.,
Деркач А.В.,
Кульбачинский В.А.,
Лунин Р.А.,
Галиев Г.Б.,
Мокеров В.Г.,
Гурин П.В.
-
в сборнике Восьмая российская конференция «Арсенид галия и полупроводниковые соединения группы III-V», Томск, 1-4 октября 2002, Материалы конференции, место издания Томский Госуниверситет Томск, с. 183-185
-
-
2002
Электронный транспорт в слоях InAs/GaAs на пороге образования квантовых точек
-
Лунин Р.А.,
Кульбачинский В.А.,
Голиков А.В.,
Рогозин В.А.,
Васильевский И.С.,
Деркач А.В.,
Мокеров В.Г.,
Федоров Ю.В.
-
в сборнике Физика электронных материалов: материалы Международной конференции (ФИЭМ'02). 1-4 октября 2002 г., Калуга, место издания Издательство КГПУ им. К.Э.Циолковского Калуга, с. 170-171
-
Книги
-
Доклады на конференциях
-
-
2018
Bioengineered analytical system to study potassium channel–ligand binding.
(Стендовый)
-
Авторы:
Nekrasova O.,
Kudryashova K.,
Kuzmenkov A.,
Vassilevski A.,
Korolkova Y.,
Volyntseva A.,
Novoseletsky V.,
Yakimov S.,
Kirpichnikov M.,
Feofanov A.
-
The 43rd FEBS Congress Prague 7-12 July, 2018, Prague, Чехия, 7-12 июля 2018
-
-
2014
Estimation of the Lifetime of Nonequilibrium Carriers in Delta-Doped GaAs by Photoreflectance
-
Авторы:
Bokov P.,
Avalyants L.,
Chervyakov A.,
Galiev G.,
Klimov E.,
Lyalin I.,
Vasilevskii I.
-
32 International Conference on Physics of Semiconductors, Austin, Texas, USA, 10-15 August 2014, 2014
-
-
-
-
2012
Непараболичность энергетического спектра двумерных электронов в структурах In0.52Al0.48As/In0.53Ga0.47As с составной квантовой ямой
(Устный)
-
Авторы:
Пономарев Д.С.,
Васильевский И.С.,
Юзеева Н.А.,
Климов Е.А.,
КульбачинскийВ А.,
Галиев Г.Б.
-
Научная сессия НИЯУ МИФИ-2012, 30 января-4 февраля 2012, НИЯУ МИФИ, Москва, Россия, 2012
-
-
-
2012
Проблемы создания РНЕМТ гетероструктур AlGaAs/InGaAs/GaAs с тонким подзатворным барьером
-
Авторы:
Хабибуллин Р.А.,
Васильевский И.С.,
Галиев Г.Б.,
Климов Е.А.,
Кульбачинский В.А.,
Боков П.Ю.
-
2-я Научно-практическая конференция по физике и технологии наногетероструктурной СВЧ - электроники «МОКЕРОВСКИЕ ЧТЕНИЯ», Россия, Москва, Национальный Исследовательский Ядерный Университет МИФИ, Россия, 2012
-
-
-
-
-
Тезисы докладов
-
-
2014
Estimation of the Lifetime of Nonequilibrium Carriers in Delta-Doped GaAs by Photoreflectance
-
Bokov P.,
Avalyants L.,
Chervyakov A.,
Galiev G.,
Klimov E.,
Lyalin I.,
Vasilevskii I.
-
в сборнике Тезисы докладов 32 International Conference on Physics of Semiconductors, Austin, Texas, USA, 10-15 August 2014, 2014, место издания Остин, Техас, США, тезисы
-
-
2013
Влияние одиночных вставок InAs на подвижности электронов в квантовых ямах In0.52Al0.48As/In0.53Ga0.47As/InAs/In0.53Ga0.47As/In0.52Al0.48As на подложках InP
-
Юзеева Н.А.,
Кульбачинский В.А.,
Овешников Л.Н.,
Галиев Г.Б.,
Климов Е.А.,
Васильевский И.С.
-
в сборнике НАУЧНАЯ СЕССИЯ НИЯУ МИФИ-2013. Аннотации докладов. В 3 томах. Т. 2. Проблемы фундаментальной науки. Стратегические информационные технологии, серия Научная сессия НИЯУ МИФИ, издательство НИЯУ МИФИ (Москва), том 2, тезисы, с. 183
-
редакторы
Богданович Б.Ю.,
Голотюк Олег Николаевич,
Диденко Андрей Николаевич,
Стриханов М.Н.
-
-
-
-
2012
Непараболичность энергетического спектра двумерных электронов в структурах In0.52Al0.48As/In0.53Ga0.47As с составной квантовой ямой
-
Пономарев Д.С.,
Васильевский И.С.,
Галиев Г.Б.,
Климов Е.А.,
Кульбачинский В.А.,
Юзеева Н.А.
-
в сборнике НАУЧНАЯ СЕССИЯ НИЯУ МИФИ-2012. Аннотации докладов: в 3 томах. Том. 2. Проблемы фундаментальной науки. Стратегические информационные технологии, серия Научная сессия НИЯУ МИФИ, издательство НИЯУ МИФИ (Москва), том 2, тезисы, с. 202-202
-
редактор
Голотюк Олег Николаевич
-
-
-
2012
Проблемы создания РНЕМТ гетероструктур AlGaAs/InGaAs/GaAs с тонким подзатворным барьером
-
Хабибуллин Р.А.,
Васильевский И.С.,
Галиев Г.Б.,
Климов Е.А.,
Кульбачинский В.А.,
Боков П.Ю.
-
в сборнике Сборник трудов 2-ой Научно-практической конференции по физике и технологии наногетероструктурной СВЧ – электроники «Мокеровские чтения», Москва, МИФИ, Россия, 2012, издательство НИЯУ МИФИ (Москва), тезисы
-
-
2012
Электронные подвижности в изоморфных квантовых ямах In0.53Ga0.47As на InP
-
Кульбачинский В.А.,
Лунин Р.А.,
Юзеева Н.А.,
Галиев Г.Б.,
Васильевский И.С.,
Климов Е.А.
-
в сборнике Тезисы докладов 36 Совещания по физики низких температур, 2-6 июля 2012 г., С. Петербург, место издания С. Петербург, тезисы, с. 184-185
-
-
2011
Electron mobility and persistent photoconductivity in quantum wells In0.52Al0.48As/In0.53Ga0.47As/In0.52Al0.48As on InP substrate
-
Kulbachinskii V.A.,
Lunin R.A.,
Yuzeeva N.A.,
Galiev G.B.,
Vasilievskii I.S.,
Klimov E.A.
-
в сборнике International conference on materials for advanced technologies – ICMAT2011, 26 June – 1 July 2011, Singapore, Symposium H - Nanodevices and Nanofabrication, место издания Singapore, тезисы, с. 68
-
-
-
2011
Гетероструктуры с комбинированно-легированным каналом и высокой концентрацией электронов в квантовой яме AlGaAs/InGaAs/AlGaAs: моделирование и эксперимент
-
Хабибуллин Р.А.,
Васильевский И.С.,
Галиев Г.Б.,
Климов Е.А.,
Кульбачинский В.А.
-
в сборнике Научно-практическая конференция по физике, технологии наногетероструктурной СВЧ-электронике "Мокеровские чтения", 12-13 мая 2011 г., Москва, Тезисы докладов, издательство НИЯУ МИФИ (Москва), тезисы, с. 40-41
-
-
2011
Подвижность и эффективная масса электронов в составных квантовых ямах InGaAs с нановставками InAs
-
Васильевский И.С.,
Пономарев Д.С.,
Галиев Г.Б.,
Климов Е.А.,
Кульбачинский В.А.,
Юзеева Н.А.
-
в сборнике Научно-практическая конференция по физике, технологии наногетероструктурной СВЧ-электронике "Мокеровские чтения", 12-13 мая 2011 г., Москва, Тезисы докладов, издательство НИЯУ МИФИ (Москва), тезисы, с. 50-51
-
-
2011
Эффективная масса электронов в наногетероструктурах InAlAs/InGaAs/InAlAs/InP
-
Васильевский И.С.,
Галиев Г.Б.,
Климов Е.А.,
Кульбачинский В.А.,
Пономарев Д.С.,
Юзеева Н.А.
-
в сборнике Сборник аннотаций работ, IX Курчатовская молодежная научная школа, 22-25 ноября 2011г., Москва, место издания Курчатовский институт Москва, тезисы, с. 124
-
-
2010
Influence of surface and doping on electron transport in PHEMT structures on GaAs substrate with quantum well AlGaAs/InGaAs/GaAs
-
Kulbachinskii V.A.,
Yuzeeva N.A.,
Lunin R.A.,
Klochkov A.N.,
Galiev G.B.,
Vasilievskii I.S.,
Klimov E.A.
-
в сборнике Fundamentals of electronic nanosystems - NanoПитер2010, Program and abstracts, место издания Ioffe Physico-Technical Institute St. Petersburg, тезисы, с. 52-55
-
-
2010
Взаимосвязь морфологии поверхности, электрофизических свойств и конструкции эпитаксиальных метаморфных гетероструктур с содержанием InAs в активном слое 75-100%
-
Васильевский И.С.,
Галиев Г.Б.,
Климов Е.А.,
Кванин А.Л.,
Кульбачинский В.А.,
Пушкарев С.С.,
Пушкин М.А.,
Юзеева Н.А.
-
в сборнике Сборник аннотаций работ, VIII Курчатовская Молодежная научная Школа, 22-25 ноября 2010 г., Москва, место издания РНЦ "Курчатовский институт" Москва, тезисы, с. 136
-
-
2010
Влияние встроенного электрического поля на спектры фотолюминесценции в наногетероструктурах AlGaAs/InGaAs/GaAs
-
Хабибуллин Р.А.,
Васильевский И.С.,
Галиев Г.Б.,
Гладков В.П.,
Климов Е.А.,
Клочков А.Н.,
Юзеева Н.А.,
Кульбачинский В.А.
-
в сборнике НАУЧНАЯ СЕССИЯ НИЯУ МИФИ-2010. Аннотации докладов, серия Научная сессия НИЯУ МИФИ, издательство НИЯУ МИФИ (Москва), том 3, тезисы, с. 18-21
-
-
2010
Электронный транспорт в модулированно-легированных квантовых ямах и слоях InAs на основе метаморфных наногетероструктур
-
Пушкарев С.С.,
Васильевский И.С.,
Галиев Г.Б.,
Климов Е.А.,
Кульбачинский В.А.,
Юзеева Н.А.
-
в сборнике НАУЧНАЯ СЕССИЯ НИЯУ МИФИ-2010. Аннотации докладов, серия Научная сессия НИЯУ МИФИ, издательство НИЯУ МИФИ (Москва), том 3, тезисы, с. 26-29
-
-
2009
Влияние поверхностного потенциала на фотолюминесценцию квантовых ям AlGaAs/InGaAs/GaAs
-
Васильевский И.С.,
Галиев Г.Б.,
Матвеев Ю.А.,
Климов Е.А.,
Кульбачинский В.А.,
Гладков В.П.,
Хабибуллин Р.А.
-
в сборнике Сборник аннотаций работ, 7-я Курчатовская молодежная научная школа, РНЦ "Курчатовский институт" 10-12 ноября 2009, место издания РНЦ "Курчатовский институт" Москва, тезисы, с. 215
-
-
2009
Особенности электронного транспорта в комбинированно-легированных квантовых ямах Al0.35Ga0.65As/InGaAs/Al0.35Ga0.65As с высокой концентрацией электронов Сборник аннотаций работ, 7-я Курчатовская молодежная научная школа, РНЦ "Курчатовский институт
-
Васильевский И.С.,
Галиев Г.Б.,
Кульбачинский В.А.,
Матвеев Ю.А.
-
в сборнике Сборник аннотаций работ, 7-я Курчатовская молодежная научная школа, РНЦ "Курчатовский институт" 10-12 ноября 2009, место издания РНЦ "Курчатовский институт" Москва, тезисы, с. 10-12
-
-
2008
Low Temperature Electron Magnetotransport in InxGa1-xAs/In0.52Al0.48As Quantum wells with high electron density
-
Vasil'evskii I.S.,
Kulbachinskii V.A.,
Mokerov V.G.,
Galiev G.B.,
Tarucha S.,
Oiwa A.
-
в сборнике LT25 - 25th International Conference on Low Temperature Physics, August 6-13, 2008 Amsterdam, Netherlands, p.266-267, место издания Amsterdam, Netherlands, тезисы, с. 266-267
-
-
-
2006
Influence of state coupling on the electron transport in shallow quantum well
-
Kulbachinskii V.A.,
Vasilievskii I.S.,
Galiev G.B.,
Mokerov V.G.
-
в сборнике XVIII Latin American Symposium on Solid State Physics (SLAFES'06), Program and Abstract, November 22-24, 2006, Puebla, Mexico, место издания Puebla, Mexico, тезисы, с. Tu09
-
-
2005
Magnetoresistance Of Coupled Quantum Wells In Quantizing Magnetic Field
-
Kaminskii V.E.,
Galiev G.B.,
Mokerov V.G.,
Vasil'evskii I.S.,
Lunin R.A.,
Kul'bachinskii V.A.
-
в сборнике Х International Conference "Micro- and Nanoelectronics", Zvenigorod, October 3th-7th, 2005, Book of Abstracts, место издания ФТИАН Zvenogorod, тезисы, с. O2-09
-
-
2005
Structural and electrophysical properties of pseudomorphic GaAs/InGaAs/GaAs quantum wells: effect of thin central AlAs barrier
-
Vasil’evskii I.S.,
Kulbachinskii V.A.,
Galiev G.B.,
Imamov R.M.,
Lomov A.A.,
Prohorov D.Yu
-
в сборнике Х International Conference "Micro- and Nanoelectronics", Zvenigorod, October 3th-7th, 2005, Book of Abstracts, место издания ФТИАН Zvenogorod, тезисы, с. P2-23
-
-
2005
Возможности рентгеновской дифрактометрии и рефлектометрии в характеризации низкоразмерных внутренних слоев гетеросистем на основе А3В5
-
Прохоров Д.Ю.,
Сутырин А.Г.,
Ломов А.А.,
Kacerovsky Р.,
Васильевский И.С.,
Кульбачинский В.А.,
Галиев Г.Б.
-
в сборнике Тезисы докл. "V Национальная конференция по применению Рентгеновского, Синхротронного излучений, Нейтронов и Электронов для исследования материалов и наносистем". РСНЭ-НАНО, место издания ИК РАН М:, тезисы, с. 250
-
-
-
-
2005
Транспортные и оптические свойства мелких псевдоморфных квантовых ям GaAs/InGaAs/GaAs с двусторонним дельта-легированием: влияние тонкого центрального барьера AlAs
-
Васильевский И.С.,
Галиев Г.Б.,
Мокеров В.Г.,
Лунин Р.А.,
Кульбачинский В.А.
-
в сборнике VII Российская конференция по физике полупроводников, тезисы докладов, Звенигород, , 18-23 сентября 2005, место издания Звенигород, тезисы, с. 244
-
-
-
2003
Подвижность электронов в связанных квантовых ямах AlGaAs/GaAs, разделенных барьером AlAs
-
Лунин Р.А.,
Кульбачинский В.А.,
Васильевский И.С.,
Галиев Г.Б.,
Каминский В.Э.,
Гурин П.В.
-
в сборнике Тезисы докладов, XXXIII Совещание по физике низких температур, Секция N "Наноструктуры и низкоразмерные системы", Екатеринбург, 17-20 июня 2003 г, место издания Екатеринбург, тезисы, с. 298-299
-
-
2002
Peculiarities of conductivity in delta-doped by Si on vicinal (111)A GaAs substrate structures
-
Kulbachinskii V.A.,
Galiev G.B.,
Mokerov V.G.,
Lunin R.A.,
Rogozin V.A.,
Derkach A.V.,
Vasilevskii I.S.
-
в сборнике Internation Conference on Superlattices, Nano-Structures and Nano-Devices, Toulouse-France, July 22-26, 2002, Abstracts, место издания Toulouse, France, том 1, тезисы, с. P062
-
-
2001
Замороженная фотопроводимость в слоях InAs/GaAs квантовых точек
-
Кульбачинский В.А.,
Лунин Р.А.,
Голиков А.В.,
Кытин В.Г.,
Васильевски И.С.,
Деркач А.В.,
Звонков Б.Н.,
Некоркин С.М.
-
в сборнике V Всероссийская конференция по физике полупроводников, сентябрь 2001, Нижний Новгород, место издания Нижний Новгород, том 2, тезисы, с. 341-341
-
НИРы
-
Диссертация