ИСТИНА

Изобретение относится к полупроводниковой технике, а именно к фотоэлектрическим преобразователям (ФП) для прямого преобразования солнечной энергии в электрическую энергию с помощью солнечных батарей. Область применения - возобновляемые источники энергии. Согласно изобретению в полупроводниковом ФП, состоящем из монокристаллических кремниевых пластин с вертикально расположенными р-n диффузионными переходами, соединенными между собой в единую горизонтальную конструкцию металлическими прокладками, с токовыводящими контактами, с, по меньшей мере, одной светоприемной поверхностью с инверсионным слоем и диэлектрическим просветляющим покрытием, в области р-типа проводимости, прилегающей к диффузионному р-n переходу, параллельно светоприемной поверхности расположена, по меньшей мере, одна нанокластерная область n-типа проводимости на расстоянии от инверсионного слоя, равном или меньшем сумме толщин областей пространственного заряда инверсионного слоя и нанокластерной области. Также предложен способ изготовления фотопреобразователя. Изобретение обеспечивает повышение КПД ФП путем увеличения времени жизни неравновесных носителей заряда при одновременном снижении стоимости технологии изготовления ФП за счет ее упрощения. 2 н.п. ф-лы, 4 ил.