ИСТИНА

Формула изобретения 1. Способ получения анизотропной кристаллической пленки, предусматривающий нанесение на подложку слоя коллоидной системы с анизометрическими частицами, внешнее воздействие на систему для снижения ее вязкости, внешнее ориентирующее воздействие на систему для обеспечения преимущественного ориентирования частиц коллоидной системы, прекращение внешнего воздействия или приложение дополнительного внешнего воздействия для обеспечения восстановления, по крайней мере, первоначального значения вязкости коллоидной системы и сушку. 2. Способ по п. 1, отличающийся тем, что внешнее воздействие на систему для снижения ее вязкости и внешнее ориентирующее воздействие на систему для обеспечения преимущественного ориентирования частиц коллоидной системы осуществляют одновременно или внешнее ориентирующее воздействие для обеспечения преимущественного ориентирования частиц коллоидной системы осуществляют в процессе внешнего воздействия на систему для снижения ее вязкости. 3. Способ по п. 1 или 2, отличающийся тем, что внешнее воздействие на систему осуществляют путем локального или полного нагрева подложки и/или слоя коллоидной системы. 4. Способ по п. 3, отличающийся тем, что нагрев осуществляют излучением и/или используют переменное электрическое или магнитное поле. 5. Способ по п. 1 или 2, отличающийся тем, что внешнее воздействие на систему осуществляют путем локального или полного нагрева подложки со стороны, противоположной той, на которой формируют пленку, для нагрева используют резистивный нагреватель и/или поток нагретой жидкости или газа. 6. Способ по любому из пп. 1-5, отличающийся тем, что внешнее воздействие на систему осуществляют путем механического воздействия на слой коллоидной системы, нанесенной на подложку. 7. Способ по любому из предыдущих пунктов, отличающийся тем, что внешнее ориентирующее воздействие осуществляют путем механического направленного перемещения по поверхности нанесенного слоя коллоидной системы, по крайней мере, одного ориентирующего инструмента, в качестве которого используют ориентирующий ножевой или цилиндрический ракель, и/или плоскую пластину, расположенную параллельно плоскости поверхности нанесенного слоя, или под углом к плоскости поверхности нанесенного слоя, при этом расстояние от поверхности подложки до края или плоскости ориентирующего инструмента устанавливают из условия получения необходимой толщины пленки. 8. Способ по п. 7, отличающийся тем, что на поверхности ориентирующего инструмента выполнен рельеф. 9. Способ по п. 7, отличающийся тем, что осуществляют нагрев, по крайней мере, одного ориентирующего инструмента. 10. Способ по любому из пп. 1-9, отличающийся тем, что обеспечение восстановления, по крайней мере, первоначального значения вязкости системы осуществляют прекращением внешнего воздействия на систему сразу по завершении внешнего ориентирующего воздействия или в процессе внешнего ориентирующего воздействия. 11. Способ по любому из пп. 1-10, отличающийся тем, что сушку проводят при влажности не менее 50% и комнатной температуре. 12. Способ по любому из пп. 1-11, отличающийся тем, что анизометрические частицы в коллоидной системе являются кристаллическими. 13. Способ по любому из пп. 1-11, отличающийся тем, что в качестве коллоидной системы используют ЛЖК. 14. Способ по п. 13, отличающийся тем, что внешнее воздействие выбирают из условия обеспечения фазового перехода в системе. 15. Способ по любому из пп. 1-11, отличающийся тем, что в качестве коллоидной системы используют золь или гель. 16. Способ по любому из пп. 1-15, отличающийся тем, что используют коллоидную систему, концентрация дисперсной фазы в которой выбрана из условия обеспечения тиксотропии системы. 17. Способ по любому из пп. 1-16, отличающийся тем, что после восстановления первоначального значения вязкости коллоидной системы осуществляют дополнительное ориентирующее воздействие на систему в том же направлении, что и в процессе основного ориентирующего воздействия. 18. Способ по любому из пп. 1-17, отличающийся тем, что кинетические единицы в коллоидной системе несут заряд. 19. Устройство для получения анизотропной кристаллической пленки, содержащее подложкодержатель, средство подачи и нанесения коллоидной системы на подложку, ориентирующий инструмент, выполненный в виде ножевого или цилиндрического ракеля с возможностью вращения вокруг продольной оси или без, и/или плоскую пластину, расположенную параллельно плоскости подложкодержателя, или под углом к плоскости подложкодержателя, средство нагрева ориентирующего инструмента и/или средство нагрева подложкодержателя, средство подачи и нанесения коллоидной системы на подложку и ориентирующий инструмент установлены над подложкодержателем с возможностью относительного перемещения с подложкодержателем, а также с возможностью установки на необходимом расстоянии от подложкодержателя. 20. Устройство по п. 19, отличающееся тем, что средство нагрева подложкодержателя расположено под подложкодержателем и выполнено таким образом, что позволяет нагревать, по крайней мере, часть поверхности подложкодержателя. 21. Устройство по п. 19 или 20, отличающееся тем, что дополнительно снабжено средством управления и контроля над процессом формирования пленки. 22. Устройство по любому из пп. 19-21, отличающееся тем, что, по крайней мере, на части поверхности ориентирующего инструмента сформирован рельеф и/или создано гидрофильное или гидрофобное покрытие. 23. Способ получения анизотропной кристаллической пленки, предусматривающий внешнее воздействие на коллоидную систему с анизометрическими частицами, размещенную в емкости, для снижения ее вязкости, внешнее ориентирующее воздействие на систему для обеспечения преимущественного ориентирования частиц коллоидной системы путем пропускания ее через фильеру под давлением, образование пленки с повышенной вязкостью на выходе из фильеры за счет прекращения внешнего воздействия или приложения дополнительного внешнего воздействия для обеспечения восстановления, по крайней мере, первоначального значения вязкости коллоидной системы, нанесение пленки на подложку и сушку. 24. Способ по п. 23, отличающийся тем, что внешнее ориентирующее воздействие для обеспечения преимущественного ориентирования частиц коллоидной системы осуществляют в процессе внешнего воздействия на систему для снижения ее вязкости. 25. Способ по п. 23 или 24, отличающийся тем, что внешнее воздействие на систему осуществляют путем нагрева коллоидной системы, размещенной в емкости. 26. Способ по п. 25, отличающийся тем, что нагрев осуществляют излучением, и/или резистивным нагревателем, и/или переменным электрическим или магнитным полем, и/или потоком нагретой жидкости и/или газа. 27. Способ по любому из пп. 23-26, отличающийся тем, что внешнее ориентирующее воздействие осуществляют с использованием фильеры, на внутренних стенках которой сформирован ориентирующий рельеф. 28. Способ по любому из пп. 23-27, отличающийся тем, что после восстановления первоначального значения вязкости коллоидной системы осуществляют дополнительное ориентирующее воздействие на систему в том же направлении, что и в процессе основного ориентирующего воздействия, создаваемого рельефом поверхности внутренних стенок фильеры. 29. Способ по любому из пп. 23-28, отличающийся тем, что подложку дополнительно охлаждают. 30. Способ по любому из пп. 23-29, отличающийся тем, что сушку проводят при влажности не менее 50% и комнатной температуре. 31. Способ по любому из пп. 23-30, отличающийся тем, что в качестве коллоидной системы используют ЛЖК. 32. Способ по п. 31, отличающийся тем, что внешнее воздействие выбирают из условия обеспечения фазового перехода в коллоидной системе. 33. Способ по любому из пп. 23-29, отличающийся тем, что в качестве коллоидной системы используют золь или гель. 34. Способ по любому из пп. 23-33, отличающийся тем, что анизометрические частицы в коллоидной системе являются кристаллическими. 35. Способ по любому из пп. 23-34, отличающийся тем, что используют коллоидную систему, концентрация дисперсной фазы в которой выбрана из условия обеспечения тиксотропии системы. 36. Способ по любому из пп. 23-35, отличающийся тем, что кинетические единицы в коллоидной системе несут заряд. 37. Устройство для получения анизотропной кристаллической пленки, содержащее емкость для размещения коллоидной системы, снабженную нагревательным элементом и средством создания избыточного давления в емкости, подложкодержатель, установленный на регулируемом расстоянии под емкостью с возможностью относительного перемещения с емкостью в горизонтальном направлении, в нижней части емкости выполнено отверстие в виде направляющей фильеры, задающей условия ориентирующего воздействия. 38. Устройство по п. 37, отличающееся тем, что под подложкодержателем расположен термоэлемент, выполненный таким образом, что позволяет поддерживать определенную температуру на, по крайней мере, части поверхности подложкодержателя. 39. Устройство по п. 37 или 38, отличающееся тем, что дополнительно снабжено средством управления и контроля над процессом формирования пленки. 40. Устройство по любому из пп. 37-39, отличающееся тем, что, по крайней мере, на части поверхности фильеры сформирован рельеф и/или создано гидрофильное или гидрофобное покрытие. 41. Анизотропная кристаллическая пленка, полученная любым из способов по пп. 1-18, 23-36.