ИСТИНА

Изобретение относится к технологии получения тонких пленок из высокоэнтропийных сплавов, используемых в процессах микро и наноэлектроники. Задачей предложенного изобретения является повышение качества пленки, наносимой на диэлектрическую подложку, за счет использования порошковой мишени, полученной горячим изостатическим прессованием, а также оптимизацией режимов распыления в магнетроне. Способ получения высокоэнтропийной тонкой пленки на диэлектрической подложке, включающий формирование мишени и магнетронное распыление упомянутой мишени для получения высокоэнтропийной тонкой пленки, отличающийся тем, что формирование мишени осуществляют горячим изостатическим прессованием на основе предварительно смешанных в вальцах или планетарной мельнице порошков металлов Сo, Cr, Fe, Ni с добавлением пятого элемента из Ti, Al, Mn, Сu, Zn, Mg, Sc, Ag, Au, Pd, Cd, Mo, Pt, Ge, In, Ga, Li, Si, V, W, Nb, Та, Zr, Hf при этом горячее изостатическое прессование проводят при температуре 900-1200 ℃, времени выдержки 30-180 минут и давлении 30-50 МПа, в потоке газа аргона не менее 2 л/мин, затем шлифовке полученной мишени и размещении ее в магнетроне постоянного тока на расстоянии 80-100 мм от диэлектрической подложки, проведение магнетронного распыления тонкой пленки при мощности 200-1000 Вт, давлении в камере магнетрона не более 0,5 Па и времени распыления 30-800 секунд, с последующим отжигом в вакуумной печи при температуре 200-400 ℃ в течение 2-4 часов.