ИСТИНА

Изобретение относится к области электротехники, а именно к наноэлектромеханическому резонатору с мембраной, которая представляет собой подвешенную часть из материала мембраны, например нитрида кремния, из которой формируется основа резонатора, и способам их изготовления, при этом полученная мембрана может быть использована для изготовления высокочувствительных сенсоров. Формирование мембраны резонатора и/или нанопровода на поверхности кремниевой пластины с отношением длины к ширине 100 более является техническим результатом изобретения, который достигается за счет выполнения в пластине кремния технологических отверстий, выполненных с обеспечением пересечения канавок, образуемых в пластине кремния в процессе травления через технологические отверстия, при этом основание канавки, примыкающее к тыльной стороне мембраны, имеет форму прямоугольника, в который вписано технологическое отверстие, с расположением сторон прямоугольника параллельно основным кристаллографическим осям [100], а полость под мембраной образована слившимися канавками. Технологические отверстия выполнены протяженными и расположены параллельно кристаллографической оси [110] или под углом к основной кристаллографической оси [100] от 20 до 45 градусов, обеспечивающим более высокую скорость травления кремния в направлениях его кристаллографических осей [100] и [110] по сравнению со скоростью травления в направлении [111]. Предложенная технология формирования мембраны на поверхности кремниевой пластины с последующим получением структур на ее основе обеспечивает повышение процента выхода годных изделий легко встраиваемых в интегральные микросхемы. 4 н. и 17 з.п. ф-лы, 26 ил. https://www.fips.ru/cdfi/fips.dll/ru?ty=29&docid=2808137