ИСТИНА

Полезная модель относится к дополнительному оборудованию установки для выращивания кристаллов фторидов методом горизонтально направленной кристаллизации, а именно к приёмному отделению углеграфитового термоизоляционного модуля. Техническим результатом предлагаемой полезной модели является возможность варьирования величиной температурного градиента в зоне фронта роста кристалла. Для его достижения предложен узел подачи газа установки для выращивания кристаллов фторидов методом горизонтально направленной кристаллизации, состоящий из вакуумного игольчатого натекателя, установленного на стальном водоохлаждаемом корпусе, соединённого муфтой и графитовыми соединительными патрубками с каналом подачи газа, представляющего собой центральную штольню с отводами, в отверстия которых вставлены форсунки, выполненного в графитовой плите приёмного теплоизоляционного модуля. Непосредственно в зону роста кристалла по каналу подачи газа непрерывно подают инертный газ аргон. 1 н.п.ф., 1 з.п.ф., 4 ил.