ИСТИНА

Изобретение относится к технологии получения исходных материалов и выращиванию методом горизонтальной направленной кристаллизации (ГНК) сцинтилляционных монокристаллов на основе бромида церия с общей формулой CeBr3 со 100% содержанием сцинтиллирующего иона Се3+ и может быть использована при изготовлении элементов детекторов и спектрометров, чувствительных к гамма-, рентгеновскому излучению и другим видам ионизирующего излучения. Техническим результатом является получение материалов стехиометрического состава CeBr3 с чистотой 99,99% в виде монокристаллических образцов, либо поликристаллов. Для его достижения предложен способ получения кристаллического сцинтиллятора на основе самоактивированного редкоземельного галогенида, включающий плавление исходной шихты в контейнере и выращивание кристаллов в установке для горизонтальной направленной кристаллизации путем перемещения контейнера через зону нагрева, при этом, выращивание монокристаллов CeBr3 осуществляют как в кварцевых ампулах, так и в графитовой лодочке, при этом, ампулы с установленными кристаллическими затравками CeBr3 внутри откаченного перчаточного бокса загружают безводными кристалликами исходного материала чистотой 99,99%, подогревают до температуры более 1000C в течение 2 часов, откачивают до 10-3 мм.рт.ст. и запаивают кислородно-пропановой горелкой, ампулы устанавливают в ростовую установку, после создания в установке вакуума до 10-3 мм.рт.ст., нагревают до расплавления шихты, выдерживают в ростовой установке в течение 2-4 часов до установления в расплаве равновесного состояния, выращивают монокристалл путем создания в ампуле градиентного температурного участка при горизонтальном протягивании из зоны нагрева в зону охлаждения со скоростью 5 мм/час, после чего для отжига выращенного кристалла ампулу медленно охлаждают до комнатной температуры, при этом, при выращивании в графитовой лодочке, исходный материал с затравкой CeBr3 устанавливают в ростовую установку, которую затем вакуумируют до 10-3 мм.рт.ст., исходный материал сушат при температуре 2000С в течение 24 часов, после чего напускают инертный газ Ar и Br в смеси с добавлением бромирующего агента тетрабромметана CBr4 и дегидрирующего агента бромида кадмия CdBr2, до избыточного давления 1,06 атм, расплавляют шихту при температуре 7320С, поднимают температуру на 500С и осуществляют процесс выращивания кристаллов по методу горизонтальной направленной кристаллизации со скоростью горизонтальной протяжки лодочки 5 мм/час, после завершения процесса кристаллизации выращенный кристалл отжигают при медленном снижении температуры ~ 10-15 0/час. В качестве контейнера используется откаченная и запаянная кварцевая ампула с исходным материалом или тигель из высокоплотного более 2 г/см3 малопористого мелкозернистого графита или тигель из стеклоуглерода с плотностью 1,46 – 1,51 г/см3. 1 н.п.ф, 1 з.п.ф., 2 ил.