ИСТИНА

Изобретение относится к химической технологии, а именно к способам приготовления шихты для выращивания монокристаллов фторидов. Техническим результатом является получение твердого спека для последующего синтеза монокристаллов фторидов. Для его достижения предложен способ приготовления шихты для выращивания монокристаллов фторидов, включающий смешивание исходных компонентов, взятых в стехиометрическом соотношении, их нагрев и выдержку, при этом, проводят смешение исходных компонентов MeF2-RF3-PbF2 (где: Me – Ca или Ba или Sr, R – Eu3+ или Се3+ или Tm3+ или Nd3+, PbF2 – является поглотителем кислорода) в стехиометрическом соотношении Me - 93%, R – 2%, PbF2 – 5%, или Me – 96%, R – 2%, PbF2 – 2%, или Me – 97%, R – 1%, PbF2 – 2%, с последующей их укладкой в графитовый тигель в форме «лодочки» с крышкой из того же материала, установку тигля с компонентами в высокотемпературную вакуумную печь с графитовым тепловым узлом и нагрев в ней до температуры 200 – 250°С в вакууме с последующей выдержкой в течении 3 – 4 часов, нагрев тигля с компонентами в высокотемпературной отжиговой вакуумной печи до температуры 700 – 750°С в атмосфере вакуума с последующей выдержкой в течении 3 – 4 часов, нагрев тигля с компонентами в высокотемпературной отжиговой вакуумной печи до температуры 1000 – 1300°С в избыточной атмосфере вакуума и выдержкой 6 часов и последующей выдержкой в избыточной атмосфере фтороводорода (HF) или тетрафторметана (СF4) с в течении 6 – 8 часов, инерционное охлаждение полученного спека до комнатной температуры. Используется высокотемпературная вакуумная печь и тигель, не содержащие в составе своего материала молекул кислорода. 1 н.п.ф., 1 з.п.ф., 3 ил.