|
ИСТИНА |
Войти в систему Регистрация |
Интеллектуальная Система Тематического Исследования НАукометрических данных |
||
Материалы Электронной техникижурнал
Статьи, опубликованные в журнале
-
-
-
-
- 2012 Структурные особенности нанокомпозита FeNi3/C, полученного при ИК-нагреве
- Кожитов Л.В., Костикова А.В., Козлов В.В., Тарала В.А.
- в журнале Материалы Электронной техники, № 2, с. 61-64
-
-
- 2011 Свойства термообработанного полиакрилонитрила и его композита с наночастицами Ag
- Кожитов Л.В., Козлов А.В., Козлов В.В.
- в журнале Материалы Электронной техники, № 1, с. 37-40
-
-
- 2010 "О природе высокой фоточувствительности слоистых пленок a-Si:H"
- Курова И.А., Ормонт Н.Н.
- в журнале Материалы Электронной техники, № 3, с. 45-48 DOI
-
- 2010 Исследование микровключений в профилированных кристаллах сапфира
- Бородин А.В., Бородин В.А., Искоростинская В.Е., Стериополо Т.А., Ходос И.И., Некрасов А.Н.
- в журнале Материалы Электронной техники, № 2, с. 29-33
-
- 2010 Современное состояние производства CdTe, ZnTe, Cd1-xZnxTe,
- Кульчицкий Н.А., Наумов А.В.
- в журнале Материалы Электронной техники, № 2, с. 17-24
-
- 2010 Теоретический расчет частот колебательных и вращательных переходов в органических полупроводниках на основемолекул безметального монофталоцианина
- Белогорохов И.А., Тихонов Е.В., Добровольский А.А., Галеева А.В., Артамкин А.И., Долженко Д.Е., Рябова Л.И., Хохлов Д.Р.
- в журнале Материалы Электронной техники, № 4, с. 27-31
-
- 2009 Исследование поверхности SnS (100) методами рентгеновской фотоэлектронной спектроскопии и зондовой микроскопии
- Яшина Л.В., Волыхов А.А., Васильев С.Ю., Семененко Д.А., Иткис Д.М., Елисеев А.А., Харламова М.В., Вербицкий Н.И., Зюбина Т.С., Белогорохов А.И.
- в журнале Материалы Электронной техники, том 4, с. 50-55
-
-
-
- 2008 Оптические и электрические свойства полупроводниковых структур на основе бутилзамещенных фталоцианинов, содержащих ионы эрбия
- Белогорохов И.А., Мартышов М.Н., Гаврилюк А.С., Дронов М.А., Тихонов Е.В., Бреусова М.О., Пушкарев В.Е., Рябчиков Ю.В., Форш П.А., Зотеев А.В., Томилова Л.Г., Хохлов Д.Р.
- в журнале Материалы Электронной техники, том 3, с. 23-33
-
- 2008 Особенности механизмов переноса носителей заряда в сформированных на поверхности кремния ансамблях полупроводниковых комплексов бутилзамещенного трифталоцианина, содержащих атомы эрбия
- Белогорохов И.А., Мартышов М.Н., Тихонов Е.В., Бреусова М.О., Пушкарев В.Е., Форш П.А., Томилова Л.Г., Хохлов Д.Р.
- в журнале Материалы Электронной техники, том 1, с. 71-74
-
- 2002 Катодо- и фотолюминесценция ортофосфатов европия и эрбия
- Божевольнов В.Е., Иванов Л.Н., Гутан В.Б., Северин А.В., Пауткина А.В., Тимофеев Ю.П.
- в журнале Материалы Электронной техники, том 4, № -, с. 66-69