Выберите категорию обращения:
Общие вопросы
Отчеты
Рейтинги
Мониторинговый отчёт
Диссертационные советы
Конкурсы
Ввод данных
Структура организаций
Аспирантура
Научное оборудование
Импорт педагогической нагрузки
Журналы и импакт-факторы
Тема обращения:
Описание проблемы:
Введите почтовый адрес:
ИСТИНА
Войти в систему
Регистрация
Интеллектуальная Система Тематического Исследования НАукометрических данных
Главная
Поиск
Статистика
О проекте
Помощь
В связи с техническими работами в центре обработки данных, часть прикреплённых файлов в настоящее время недоступна.
скрыть
Chalcogenide Letters
журнал
Индексирование: Scopus (1 января 1970 г.-), JCR (1 января 1970 г.-)
Период активности журнала: не указан
Издательство:
National Institute of Materials Physics, National Institute of Optoelectronics
Местоположение издательства:
Romania
ISSN:
1584-8663 (Print)
Статьи, опубликованные в журнале
2020
Contact resistance measurements for the Ge2Sb2Te5 thin films
Yakubov A.
,
Sherchenkov A.
,
Lazarenko P.
,
Babich A.
,
Terekhov D.
,
Dedkova A.
в журнале
Chalcogenide Letters
, издательство
National Institute of Materials Physics, National Institute of Optoelectronics
(Romania)
, том 17, № 1, с. 1-8
2020
Structure of Ge2Sb2Te5 thin films near the inflection point of the resistivity temperature dependence
Zaytseva Y.
,
Lazarenko P.
,
Vorobyov Yu
,
Yakubov A.
,
Borgardt N.
,
Kozyukhin S.
,
Sherchenkov A.
в журнале
Chalcogenide Letters
, издательство
National Institute of Materials Physics, National Institute of Optoelectronics
(Romania)
, том 17, № 2, с. 41-47
2013
NANOHETEROMORPHOUS STRUCTURE AND RELAXATION OF GLASSFORMING As2S3
Minaev V.S.
,
Timoshenkov S.P.
, Kalugin V.V.,
Vassiliev V.P.
,
Mukimov D.Zh
в журнале
Chalcogenide Letters
, издательство
National Institute of Materials Physics, National Institute of Optoelectronics
(Romania)
, том 10, № 11, с. 474-480
2013
Thermodynamic Properties, Phase Diagrams and Glass-Formation of Thallium Chalcogenides
Vasilyev V.P.
,
Minaev V.S.
,
Batyunya L.P.
в журнале
Chalcogenide Letters
, издательство
National Institute of Materials Physics, National Institute of Optoelectronics
(Romania)
, том 10, № 11, с. 485-507