ИСТИНА |
Войти в систему Регистрация |
|
Интеллектуальная Система Тематического Исследования НАукометрических данных |
||
Создан спектральный измерительный комплекс для исследования светодиодов на основе гетероструктур InGaN/AlGaN/GaN в широком диапазоне токов и температур. Форма спектров электролюминесценции описывается моделью излучательной рекомбинации в хвостах плотности состояний. Впервые в области малых токов обнаружена дополнительная полоса, соответствующая туннельному излучению; положение ее максимума равно потенциалу на p-n- переходе. Интенсивность излучения и КПД увеличиваются при увеличении концентрации нескомпенсированных акцепторов в р-области.