|
ИСТИНА |
Войти в систему Регистрация |
Интеллектуальная Система Тематического Исследования НАукометрических данных |
||
Особенности излучательной рекомбинации в р-n -гетероструктурах InGaN/AlGaN/GaN с множественными квантовыми ямами и светодиодах на их основе.диссертация
- Научный руководитель: Юнович А.Э.
- Автор: Батгутдинов Мансур Лябибович
- Дата защиты: 11 октября 2007 года в 17:30
- Шифр диссертационного совета: Д 501.001.70
- Организация: МГУ имени М.В. Ломоносова
- Область знаний: Физика и математика
- Специальность: 01.04.10 - Физика полупроводников
- Тип диссертации: Кандидатская
- Ведущая организация: Санкт-Петербургский Государственный Электротехнический Университет "ЛЭТИ".
- Организация, в которой выполнялась работа: Физический факультет МГУ имени М.В.Ломоносова
- Оппоненты: Ковалев А.Н., Атаев А.Е.
-
Аннотация:
Исследованы оптические и электрические свойства гетероструктур InGaN/AlGaN/GaN c целью научного обоснования разработок эффективных светодиодов в видимой области спектра как основы освещения будущего. Спектры электролюминесценции описаны моделью двумерной комбинированной плотности состояний с учетом флуктуаций потенциала и изменения температуры активной области с током. Показано, что полоса в спектрах электроотражения р-n -гетероструктур соответствует эффективной ширине запрещенной зоны в активной области InGaN/GaN, определенной из спектров электролюминесценции светодиодов. Показано, что барьерный слой р-AlGaN существенно влияет на величину флуктуаций потенциала. КПД исследованных светодиодов на подложках SiC достигает значений 16-22% при токах 100-350 мА.
- Добавил в систему: Юнович Александр Эммануилович