ИСТИНА

В представленной работе объектом исследования является влияние ионного облучения на разрушение упорядоченной структуры мишени, а в качестве предмета исследования рассматривались механизмы дефектообразования в графене под действием облучения ускоренными ионами гелия и аргона при разных энергиях и флюенсах. Основные результаты, представленные в диссертационной работе, получены в рамках экспериментальных исследований в сочетании с моделированием методами бинарных атомных столкновений. В работе показано, что уменьшение энергии, приходящейся на нуклон, приводит к увеличению отличия экспериментальных и рассчитанных средних проективных пробегов и ширины профиля дефектов. Методами резерфордовского обратного рассеяния и комбинационного рассеяния света было показано влияние флюенса облучения на процесс дефектообразования. На основе спектров РОР и КРС было показано, что для ионов различных масс в кремнии наблюдается линейная зависимость количества дефектов от параметра DPA, связанная с ростом количества дефектов в диапазоне значений DPA от 0 до 0.5. При величине параметра DPA превышающей 0.5 наблюдается замедление роста количества дефектов с ростом флюенса, что может быть связано с процессом объединения локальных высокодефектных областей с последующим формированием аморфного слоя. Методами КРС было показано влияние параметров ионного облучения на этапы дефектообразования в графеновом покрытии, осажденном на медную фольгу. Результаты демонстрируют накопление точечных дефектов до значений параметра DPA 5*10-4, после чего начинается процесс объединения активных областей дефектов в высокодефектные области, и при значениях параметра DPA 10-2 происходит разрушение порядка в расположении атомов углерода с переходом в фазу аморфного углерода.