ИСТИНА

В настоящее время большой интерес для современной микроэлектроники вызывает изучение воздействия ионов низких энергий на нанопористые low-k диэлектрики, применяемые в качестве межслойных изоляторов при производстве сверхбольших интегральных схем. Основной целью данной диссертационной работы является исследование особенностей физического распыления нанопористых материалов ионами инертных газов низких энергий и структурных изменений, происходящих в таких материалах под действием ионов. В работе с использованием метода классической молекулярной динамики исследовано влияние типа и энергии налетающих частиц и особенностей структуры нанопористых материалов (в первую очередь пористости и радиуса пор) на процесс физического распыления данных материалов. Показано, что в области низких энергий воздействие ионов на нанопористые структуры может сопровождаться не только их физическим распылением, но и образованием сплошного приповерхностного слоя, появление которого препятствует проникновению активных радикалов плазмы вглубь материала. Представленные результаты могут быть использованы для создания методов повышения стойкости нанопористых low-k диэлектриков к воздействию плазмы, что может оптимизировать технологию бездефектного воздействия на них плазмы при производстве интегральных схем.