ИСТИНА |
Войти в систему Регистрация |
|
Интеллектуальная Система Тематического Исследования НАукометрических данных |
||
Выполнено исследование структурных и композиционных перестроек в эпитаксиальных структурах соединения, обладающих свойством высокотемпературной сверхпроводимости, и в полупроводниковой двухкомпонентной системе GexSi(1-x)/Si под воздействием мощных лазерных импульсов. Выполнено также численное моделирование лазерного воздействия на исследуемые материалы.