ИСТИНА

К задачам работы автор относит анализ атомных мультипольных моментов пористых кристаллов, представляющих полиморфные модификации разного химического состава (SiO2 и т.п.) с целью создания метода аппроксимации атомных мультипольных моментов (АММ), позволяющего предсказывать их для систем большей размерности, как и рассчитывать на их основе электростатический потенциал (ЭПО) и поле (ЭП). Данные для аппроксимации АММ предлагается получить из решения прямой задачи для серии кристаллических структур близкого состава, но с меньшим размером ячейки. На основании данных расчёта c периодическими граничными условиями в приближении Хартри-Фока (ПХФ) или функционала плотности (ПФП) предполагается определить вид координаты для единого описания АММ элемента в разных системах близкой природы и определить границы переносимости АММ между разными системами. С учётом поведения потенциала относительно улучшения качества базиса рассчитать АММ в базисах требуемого уровня и преобразовать данные к подобному положению соседей атома в системах большой размерности, для которых прямые расчёты исключительно трудоёмки или даже невозможны.