ИСТИНА

Диссертация посвящена исследованию влияния параметров фемтосекундного лазерного облучения и термического отжига на структурные, оптические и электрофизические свойства пленок аморфного гидрогенизированного кремния (a-Si:H), а также сверхрешеток на основе нестехиометрических слоев оксида (SiOx) и нитрида (SiNх) кремния. Продемонстрирована возможность управления морфологией и ориентацией периодического микрорельефа, формируемого фемтосекундным лазерным излучением на поверхности a-Si:H, за счет изменения количества лазерных импульсов. В объеме обрабатываемой пленки a-Si:H обнаружено формирование нанокристаллов полиморфных модификаций Si-III и Si-XII, демонстрирующих анизотропию сигнала комбинационного рассеяния света. Установлена взаимосвязь между формированием периодического рельефа на поверхности модифицированной пленки a-Si:H и возникновением анизотропии её проводимости. Обнаружен эффект резистивного переключения в сверхрешетках на основе SiNх, отожженных при 1150 °C, проявляющийся за счет формирования при отжиге кремниевых нанокристаллов в объеме сверхрешетки. Показана корреляция между характерными особенностями спектров и кинетики фотолюминесценции сверхрешеток на основе SiOx и SiNх и формированием в них кремниевых нанокристаллов или аморфных нанокластеров в результате отжига при температурах 1150 и 900 °C, соответственно.