![]() |
ИСТИНА |
Войти в систему Регистрация |
Интеллектуальная Система Тематического Исследования НАукометрических данных |
||
Разработаны методики свойств полупроводников путем регистрации локальных спектров катодолюминесценции в растровом электронном микроскопе. Исследована локальная катодолюминесценция GaAs, измерены диффузионная длина носителей тока и скорость поверхностной рекомбинации. Разработана методика исследования локальной катодолюминесценции в инфракрасном диапазоне длин волн 1.7 - 2.4 мкм. Изучены спектры локальной катодолюминесценции p-n- переходов в GaSb.